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通过线性微波化学气相沉积（LMW-PECVD）技术在P型单晶样品上高生长速度下制备了高质量的AlOx薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭圆偏振仪器、有效少子寿命测量仪对实验样品进行了表征和分析.结果表明,AlOx薄膜的厚度和折射率都对晶硅的钝化效果有影响,薄膜厚度在20～30 nm之间、折射率在1.6～1.65 之间出现了理想的钝化效果;热处理对AlOx薄膜钝化效果的影响较为复杂,理想的热处理温度在350～400 ℃之间.