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本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。
Si1—x—yGexCy材料的外延生长方法
【摘 要】
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本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。
【出 处】
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半导体杂志
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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国家自然科学重大基金资助项目!(6 9876 2 6 0 )
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