【摘 要】
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为了研究硅通孔(TSV)转接板及重离子种类和能量对3D静态随机存储器(SRAM)单粒子多位翻转(MBU)效应的影响,建立了基于TSV转接板的2层堆叠3D 封装SRAM模型,并选取6组相同线性能
【机 构】
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北京交通大学光波技术研究所全光网络与现代通信网教育部重点实验室,北京 100044;中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室,北京 100029;北京交通大学光波技术
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为了研究硅通孔(TSV)转接板及重离子种类和能量对3D静态随机存储器(SRAM)单粒子多位翻转(MBU)效应的影响,建立了基于TSV转接板的2层堆叠3D 封装SRAM模型,并选取6组相同线性能量传递(LET)值、不同能量的离子(11B 与4He、28 Si 与19 F、58 Ni 与27Si、86 Kr与40Ca、107Ag与74Ge、181Ta与132Xe)进行蒙特卡洛仿真.结果表明,对于2层堆叠的TSV 3D封装SRAM,低能离子入射时,在Si路径下,下堆叠层SRAM 多位翻转率比上堆叠层高,在TSV(Cu)路径下,下堆叠层SRAM 多位翻转率比Si路径下更大;具有相同LET值的高能离子产生的影响较小.相比2D SRAM,在空间辐射环境中使用基于TSV转接板技术的3D 封装SRAM 时,需要进行更严格的评估.
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