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采用固态磷源分子束外延技术在InP（100）衬底上生长了高质量的InP外延材料．实验结果表明InP／InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关．根据霍耳测量结果，对生长条件和实验参数进行了优化，在生长温度为370℃，磷裂解温度为850℃，生长速率为0．791）μm／h和束流比为2．5的条件下，获得了厚度为2．35μm的InP／InP外延材料．在77K温度下，电子浓度为1．55×10^-15cm^-3，电子迁移率达到4．57×10^4cm^2／（V·s）．