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建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的栅屏蔽效应和 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果 .该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考
GAT双极晶体管的高频高压兼容特性
【摘 要】
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建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的栅屏蔽效应和 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果
【机 构】
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XiamenUniv
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金!( No.698962 60 -0 6),,国家高技术研究发展计划!( 863 -71 5-0 1 0 )
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