CH4＋Ar混合等离子体注入新工艺

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gaolch009

【摘要】

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采用CH4+Ar混合等离子体对p-Si(100)进行剂量为5.0×1017cm-2,能量分别为40 keV及80 keV的碳离子注入,靶温控制在700℃左右;注入后将样品在1 250℃的氩气中退火5 h.通过

【作者】

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邢玉梅俞跃辉陈可炜郑志宏杨文伟

【机构】

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中国科学院

【出处】

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压电与声光

【发表日期】

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2005年3期

【关键词】

：

甲烷等离子体碳化硅离子注入 CH_4 plasma SiC ion implantation

【基金项目】

：

中-法合作项目

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采用CH4+Ar混合等离子体对p-Si(100)进行剂量为5.0×1017cm-2,能量分别为40 keV及80 keV的碳离子注入,靶温控制在700℃左右;注入后将样品在1 250℃的氩气中退火5 h.通过红外反射光谱、掠角X-射线衍射以及剖面透射电镜对退火前后的样品进行分析,其结果证明了结品质量较好的多晶β-SiC不连续埋层的形成.

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