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[期刊论文] 作者：叶志镇,
来源：半导体学报 年份：1994
本研究利用一台新型的超高真空气相外延（ＣＶＤ）设备，成功地在衬底温度为５５０℃的（１００）硅片上由硅烷热解法生长了外延层，实现了极低温低压外延新工艺。高分辨率的断面透射电镜（ＸＴＥＭ）照片表明，低温硅外延......
[期刊论文] 作者：叶志镇,
来源：真空科学与技术学报 年份：1989
一、引言磁控溅射(MS)是一种较新的镀膜技术。由于溅射粒子动能大,薄膜牢固、致密;又由于磁控的作用,可获得较高的沉积速率;同时薄膜可在常温的基板上沉积,并在沉积过程中又...
[期刊论文] 作者：叶志镇,,
来源：材料科学与工程 年份：1989
本文综述了溅射技术的发展过程,着重介绍了磁控溅射技术的工作原理和特点,以及它在新材料合成、开发材料新用途、材料的表面改性,表面研究等材料科学诸领域中的应用概况及其...
[期刊论文] 作者：叶志镇,
来源：激光与红外 年份：1989
本文在理论上推导了S枪磁控溅射时基板膜厚分布的计算公式,研究了S枪的发射特性,实测了S枪在垂直于基板的情况下,静止的平面基板上相对的膜厚径向分布。...
[期刊论文] 作者：叶志镇,
来源：激光与红外 年份：1989
本文介绍了直流磁控溅射淀积Si薄膜的镀膜工艺,研究了Si薄膜的光学特性(包括透射率光谱曲线、光学吸收、光学常数)和电阻率,通过对薄膜的X射线能谱图和透射衍射图等研究、观...
[期刊论文] 作者：叶志镇,
来源：国际学术动态 年份：2008
第3届全国氧化锌学术研讨会暨国际氧化锌学术会议（3rd National Conference on ZnO and Related Materials ＆ International Forumson ZnO）于2007年10月22-25日在浙江大学召开。...
[会议论文] 作者：叶志镇;,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
未来白光照明和太阳能电池是国家重点发展节能产业，而目前蓝光GaN-LED和ITO透明导电膜是这两大产业的重要基础，但其结构(InGaN、In2O3：Sn)中必须使用铟(In)，而铟地质储量仅l...
[会议论文] 作者：叶志镇,
来源：东钱湖论坛第二次会议-纳米材料与产业化研讨会 年份：2002
本文叙述了纳米ZnO在工业上的主要用途和一些常用制备方法,并介绍了一种新的制备方法——流体注入法. 上世纪末期刚刚诞生的纳米技术,正以其独特的性能影响着整个世界.纳...
[会议论文] 作者：叶志镇,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
未来白光照明和太阳能电池是国家重点发展节能产业，而目前蓝光GaN- LED 和ITO 透明导电膜是这两大产业的重要基础，但其结构(InGaN、In2O3：Sn)中必须使用铟(In)，而铟地质储量...
[期刊论文] 作者：叶志镇,,
来源：激光与红外 年份：1987
本文简单地回顾了磁控溅射源的发展过程,综述了一些关于磁控溅射的基础研究的成果和磁控溅射技术的应用。This article briefly reviews the development of magnetron spu...
[期刊论文] 作者：叶志镇,,
来源：激光与红外 年份：1987
本文描述了磁控溅射系统以及S枪的放电特性,测试了基板静止与转动两种情况下膜厚均匀性分布,测量了Ag、Cu、Al三种金属的沉积速率和膜的光学常数及反射率R(λ=632.8nm),对膜...
[期刊论文] 作者：叶志镇,
来源：浙江大学学报(自然科学版) 年份：1994
本文研究了在超高真空低温ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）硅外延中，ＥＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）微波等离子原位溅射清洗对外延层界面损伤的情况，实验表明，界面处引进的损伤是较严重的，它与衬底偏压的高低和溅射时间的长短直接相关。In t......
[会议论文] 作者：叶志镇,
来源：中国真空学会2008年学术年会 年份：2008
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，同GaN一样，是一种直接带隙宽禁带半导体，室温下禁带宽度为3.37 eV。ZnO激子结合能为60 meV，是GaN(25 meV)的2倍多，可以实现室温和高温下...
[会议论文] 作者：叶志镇,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
ZnO光电材料是新型节能光电子工业的基础材料，在未来白光照明产业中有可能发挥重要作用，其中ZnO-LED发光应用和新型透明导电在节能光电子器件中应用将是重要的方向.ZnO作为...
[会议论文] 作者：叶志镇;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
ZnO基半导体优越的光电性能使其在高效率短波长光电器件领域有着广阔的应用前景。一方面稳定高质量的p、n型掺杂是制备光电器件的基础；另一方面,ZnMgO/ZnO异质结构,尤其是...
[会议论文] 作者：叶志镇,
来源：中国物理学会2011年秋季学术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：叶志镇,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
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[期刊论文] 作者：顾星,叶志镇,
来源：微纳电子技术 年份：2003
Ⅲ族氮化物是近年来半导体发光器件研究领域中的热点.由于InN,GaN,AlN及由其组成的连续变化固溶体合金所构成的半导体微结构材料,具有宽禁带宽电子漂移饱和速度高、介电常数...
[期刊论文] 作者：王亚东,叶志镇,
来源：半导体杂志 年份：2000
硅基量子点器件由于其独特的性能以及和硅集成电路相容的特点成为研究的重点。量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能，从而在微电子和光电子器件方......
[期刊论文] 作者：赵浙,叶志镇,
来源：材料导报 年份：2004
p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺.使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意.最近几年在掺杂工艺的改...
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