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[期刊论文] 作者：钱佑华,丁磊,
来源：半导体学报 年份：1990
在GaP:N(Te)的光致发光谱(PL)上,第一次发现了Te~0束缚激子发光伴生的声子翼,其中参与的声子是Dean曾经提出的D声子。对实验结果尚未有肯定的解释。另外,对掺杂GaP PL谱上熟...
[期刊论文] 作者：陈哉,钱佑华,
来源：半导体学报 年份：1988
用椭偏光谱研究了硅片抛光的表面质量.假设一个四相模型,对测量数据进行分析处理.结果表明,(ⅰ)用带间光谱的E_1结构,可以分辨表层质量的稍优或稍劣,而不一定要用E_2结构.(ⅱ...
[期刊论文] 作者：王昌平,钱佑华,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：1985
随着大规模集成电路、大功率器件、高灵敏探测器……的发展,人们对硅材料的质量提出了高要求.根据常规的电学测量方法,只能得到载流子的浓度,不能测出杂质的种类以及补偿度....
[期刊论文] 作者：陈良尧,钱佑华,
来源：物理 年份：1995
从原理、实现方法和结果等几方面对现代椭圆偏振光谤学领域的研究工作和新发展作了介绍，着重介绍了近几年在椭圆法基础上发展起来的近正入射反射差别谱的原理、所观察到的新的......
[期刊论文] 作者：吴仲墀,钱佑华,,
来源：自然杂志 年份：1978
从事超导体实用研究的人们,都十分关注超导相变温度和临界磁场的提高;而对于提高材料的临界电流密度,却往往不够重视。这使得超导的应用受到了影响。铌三铝(Nb_3Al)具有极高...
[期刊论文] 作者：钱佑华,丁磊,郑思定,
来源：半导体学报 年份：1991
根据GaP∶N（Te）的光致发光和喇曼光谱,提出了GaP∶N发光中的光学声子双伴线可能分别由LOг和它的束缚态LOXNг对所产生的初步设想.另外,尝试...
[期刊论文] 作者：钱佑华,丁磊,吴仲墀,
来源：红外研究(A辑) 年份：1988
对GaP:N(Te,Zn)中束缚激子发光热猝灭的测量和分析表明,中性Te原子以“俄歇阻断”作用,在NN对发光猝灭温度相对于不掺施主和受主的GaP:N有所降低方面起了关键的影响。掺Te后...
[期刊论文] 作者：钱佑华,丁磊,吴仲墀,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The emission band around 2.268eV on the low temperature photolumi-nescence spectra of GaP:N doped with tellurium has been reexamined under the condition of very...
[期刊论文] 作者：钱佑华,陈良尧,张继昌,
来源：半导体学报 年份：2004
椭圆偏光法结合阳极氧化剥层技术,测量得到磷注入硅临界剂量附近样品表层的表观光学常数n|~=n-ik,出现一个振荡型的深度分布.在关于离子注入层无序分布的公认结论的基础上,...
[期刊论文] 作者：钱佑华,陈良尧,张继昌,
来源：半导体学报 年份：1981
用椭圆偏振术研究了不同剂量P~+注入硅样品损伤层的复折射率n|~=n-ik. 提出一个简单的模型对折射率n在临界剂量处出现峰值作了唯象的解释.The elliptic polarization techn...
[期刊论文] 作者：王周成,彭瑞伍,钱佑华,
来源：稀有金属 年份：1991
在研究GaAs和GaAlAs电解液电反射谱的基础上,把电解液电反射方法与电化学可控阳极溶解技术结合起来,对GaAs/GaAlAs多层结构材料进行深度剖面分析。根据阳极溶解过程中电反射...
[期刊论文] 作者：钱佑华,冷静民,林成鲁,邢昆山,
来源：半导体学报 年份：1989
用Raman光谱测量了高剂量B~+注入后,经不同激光功率退火的SOM上的硅膜.硅膜的晶化和杂质的激活,在光谱上得到充分的反映.满足临界条件的激光退火工艺,可使SOM达到制作压敏器...
[期刊论文] 作者：冷静民,钱佑华,林成鲁,方芳,
来源：红外研究(A辑) 年份：1987
在电阻率为6～8Ω·cm的N型硅衬底上热生长1μm厚的SiO_2层,用LPCVD方法淀积0.5μm厚的多晶硅层,然后用束斑直径为40μm、功率为5W的Ar~+激光束对样品再结晶,激光扫描速率为5c...
[期刊论文] 作者：吴仲墀,钱佑华,张维宽,罗振华,
来源：应用科学学报 年份：1991
一、引言 超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质...
[期刊论文] 作者：吴仲墀,赵有源,高如芳,钱佑华,
来源：半导体学报 年份：1985
10.6μm的CO_2激光,对于一定电阻率范围的晶态硅,正处在载流子光吸收的强吸收区.利用输出光强高度稳定的CO_2激光器作为硅电阻率的无损检测工具,是比较理想的途径之一. 令光...
[期刊论文] 作者：郑国祥,应书谦,黄大鸣,钱佑华,
来源：红外研究 年份：1984
本工作用电反射光谱技术研究了Si-KCl水溶液界面的行为。高阻N型硅片,均匀掺杂密度2×10~(14)c~m(-3),表面抛光成镜面,背面密封并引出电极。使用时即时配制的KCl电解液,浓度...
[期刊论文] 作者：赵有源,吴仲墀,高如芳,钱佑华,
来源：红外研究 年份：1984
本文目的是确定半导体硅吸收系数α与电阻率ρ的关系,并以相应曲线作为校正曲线,用于硅的电阻率、杂质浓度及其分布的测定。我们用10.6μm CO_2激光测量硅样品的透射率T,由...
[期刊论文] 作者：郑安生,邓志杰,武希康,屠海令,钱佑华,
来源：稀有金属 年份：1995
ＭＬＥＣＧａＳｂ单晶的光致发光谱郑安生，邓志杰，武希康，屠海令，钱佑华（北京有色金属研究总院１０００８８）（复旦大学）关键词：ＭＬＥＣ，ＧａＳｂ，光致发光谱（一）前言由于ＧａＳｂ单晶是制备２～４μｍ波段光电器件￣［１、２］以及ＧａＡｓ／ＧａＳ６高效迭.........
[期刊论文] 作者：冯星伟,苏毅,马宏舟,陈良尧,钱佑华,
来源：光学学报 年份：1995
设计制作了一台用同步旋转起偏器和检偏器(转速之比为1:2)测量方式的波长扫描型椭偏仪。由于附加了一个固定偏振器以消除光源的部分偏振性,实验信号包括一个直流成分和四个交流成分,其频率分别为ω0,2ω0,3ω0和4ω0,利用四个交流成分中的任意三个便可以得到材......
[期刊论文] 作者：王昌平,刘彬,吴晓毅,苏九令,缪伯才,钱佑华,
来源：红外研究 年份：2004
随着LSI、大功率器件、红外探测器等器件的发展,元件制造技术的提高,对Si材料提出了愈来愈高的质量要求,尤其是Si材料中的微量杂质,因为它的含量及其浓度分布直接影响元件的...
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