低压反应离子镀相关论文
采用低压反应离子镀沉积技术，制备光学薄膜质量有着显著的改善。我们利用此技术沉积的ＴｉＯ２、ＳｉＯ２和Ａｌ２Ｏ３膜，其折射率分别为２５５、１４９（５５０ｎｍ）和１６７（１１００ｎｍ），比传统的电子......
介绍了低压反应离子镀沉积氧化钨电致变色薄膜，并从微观特性，光学特性和变色特性等方面进行了研究
The low pressure reactive ion ......
简要介绍了９６ 年欧洲真空镀膜会议概况，结合９４ 年第一届欧洲真空镀膜专题讨论会的内容，对欧洲各国在光学薄膜和薄膜技术的研究动向作了介......
本文介绍了低电阻率的铟锡氧化物（ＩＴＯ）透明导电膜的机理、制备及实验结果，并对某些参数在电阻率和透射率方面的影响作了讨论。
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溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法.实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺-低压反应离子镀方......
采用真空电子束蒸发低压反应离子镀技术制备WO3电致变色薄膜,对比研究在玻璃衬底和塑料衬底上制备的WO3薄膜的物理特性、电化学特......
改变ITO材料通常作为透明导电膜单独使用的状况,将其作为减反射膜系中的一层,能够在很大程度上增加ITO透明导电膜在可见光部分的透......
采用低压反应离子镀沉积技术，制备光学薄膜质量有着显著的改善。我们利用此技术沉积的ＴｉＯ２，ＳｉＯ２和Ａｌ２Ｏ３膜，其折射率分别为２．５５，１．４９和１．６７，比传统的电子束蒸发好得......
以Ar气作为工作气体,CH4作为反应气体,利用低压反应离子镀（RLVIP）技术在Ge基底上成功制备出类金刚石（DLC）薄膜。通过拉曼光谱、Perking......
在电子束蒸发镀膜的基础上,引入低压反应离子镀工艺制备WO3电致变色薄膜,研究不同氧分压对WO3薄膜电致变色特性的影响,实验结果表......
应用低压反应离子镀（RLVIP）技术在Ge基底上沉积了Ge1-xCx巴薄膜。制备过程中，低压等离子源作为辅助等离子源，Ge作为蒸发材料，CH4作为反......
