共晶键合相关论文
三维集成封装在电子封装领域中所占的地位越来越重要。在三维集成封装的工艺步骤中,键合技术为关键工艺之一。如何将基板之间在较......
硅基异构集成和三维集成可满足电子系统小型化高密度集成、多功能高性能集成、小体积低成本集成的需求,有望成为下一代集成电路的......
目前在真空领域对于硅-铜封接的常用方式为Torr-Seal胶封接和玻璃粉高温烧结方式,但因其高放气率和玻璃粉污染等问题在超高真空受......
三轴微型加速度计具有体积小、低功耗和易批量生产等优点,广泛应用于汽车导航、航空航天等领域。随着微细加工技术的不断进步以及......
近年来,随着微电子技术、微机械加工技术以及无线传感技术的突飞猛进,诸如嵌入式系统、射频识别系统、无线传感器以及各种可植入微......
本文对太赫兹MEMS滤波器进行了简单介绍并分析了对其性能造成影响的参数，且对这些参数的工艺误差进行了仿真。结合了设计仿真与......
通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合（365℃保温10min），再进行下帽与结构片的键合（380±10℃保温20min），成功进行了三层键合。测得......
采用微硅-锆钛酸铅（Si-PZT）悬臂梁结构并在悬臂梁末端附加镍质量块,构成可以工作于低频环境（小于1000Hz）的微压电能量采集器,一种利用......
随着电子、机械、信息、通信等技术发展,人们已经可以展望未来物联网(loT)社会的各类微型传感器、驱动器、无线发射器在生活中得以......
针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究,以采用Ti/Au作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象,提出一种表面带有微结构的硅—硅共......
研究了在MEMS气密性封装中基于Ag-Sn焊片的共晶键合技术。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,在221℃实现了良好的键合效......
为了提高MEMS压力传感器的气密封装效果,利用银锡(Ag-Sn)焊片共晶键合的方法实现封装.首先介绍了工艺流程,然后利用X射线能谱(EDX)......
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随着MEMS器件的广泛研究和快速进步,非硅基材料被广泛用于MEMS器件中.键合技术成为MEMS器件制作、组装和封装的关键性技术之一,它......
随着芯片集成度的不断提高以及CMOS工艺复杂度的增加，集成电路的成本及性能方面的问题越来越突出，基于TSV技术的三维集成已成为研究......
介绍了一种采用Pb-Sn共晶合金作为中间层的键合封装技术,通过电镀的方法在芯片与基片上形成Cr/N i/Cu/Pb-Sn多金属层,在温度为190......
叙述了MEMS封装中共晶键合的基本原理和方法 ,分析了Au Si、Au Sn、In Sn等共晶键合技术的具体工艺和发展 ,并对其应用作了介绍......
通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合 ( 36 5℃保温 10min) ,再进行下帽与结构片的键合 ( 380± 10℃保温2 0min) ,成功进行了三......
从宏观器件的微小型化到功能化微小型器件的独立开发,结构的微型化使器件内部的物质和能量输运均受到了微小空间的限制,这使得部分......
传统的体硅芯片的特征尺寸缩小到了几十个纳米级，已受到传统体硅工艺制程以及硅材料本身电学性质的限制，以体硅为基础的半导体技术的......
利用硅微机械加工技术制备微机械Golay-cell红外探测器硅可动敏感薄膜,探测器气室由带薄膜结构硅片与带孔结构硅片键合密闭形成,气......
设计了一种Au-Si键合强度检测结构.通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测,可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度;采用......
