6H-碳化硅相关论文
研究了新型SiCMOS电容的制备工艺。采用干O2+CHCCl3(TCE)热氧化方法生长6H-SiCMOS氧化层。研究了TCE浓度与SiC/SiO2界面态电荷密度......
采用二维器件模拟器ISE TCAD7．0，对比研究了6H-SiC和4H-SiCVDMOS的基本特性。结果表明，在Vgs为8V时，4H-SiCVDMOS的漏极电流比6H-SiC高......
采用升华法,在一定的温度、气体压力和流量的条件下,生长了尺寸φ50.8 mm的6H-SiC单晶.利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌,......
