C-V测试相关论文
研究并制备了一种半导体Si-MOS器件结构，用于Si-SiO2氧化层质量表征和界面测定。实验的测试样品经过切片封装后，可在普通探针台或测......
CdZnTe是一种性能优异的直接禁带半导体材料,具有直接跃迁能带结构的功能,改变Zn的百分比x,会有不同的用途。它具有如下优异性能：对......
研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用。在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si(100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样......
碳化硅（Silicon Carbide）半导体材料凭借临界击穿电场高、热导率高、热载流子饱和漂移速度高、抗辐照能力强等特点，已经成为国际功率......
半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS......
利用Al/SRO/Si MOS,对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究.用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料,通过......
采用掺磷多昌硅作电极材料与场注入隔离技术相结合的硅栅电容制作方法，克服了用AL做电有材料的C－V测试结构在实践中的不足，目前已在CM......
采用四探针与C－V两种测试仪器，对同一参数的外延片电阻率进行测试，测试结果表明，用四探测针试外延陪片和C－V测试处延片，测得的外延电阻率......
介绍了不同化学清洗方法对硅－二氧化硅界的影响。实验表明，采用ＮＨ４ＯＨ清洗后能明显降低硅－二氧化硅界的表面的电荷。文中还对如何设计Ｃ－Ｖ测试结......
通过具有各种串联电路的ＭＯＳ电容的分析测试表明：串联电阻引起ＭＯＳＣ－Ｖ特性畸变，失真，并与介质膜电容大小有关；串联电容使ＭＯＳＣ－Ｖ特性严重不稳定；而当存在电......
表面态问题的研究是半导体材料、器件以及集成电路工艺等研究中的一个重要议题。对表面态在禁带中的分布规律进行了研究。采用微波......
利用Al／SRO／SiMOS。对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究。用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料，通过C......
本文利用自建的变频C-V测试系统测量分析了InGaAsP/InP异质结的界面态,结出其界面态密度和时间常数.实验结果表明,在界面同时存在......
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研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响。结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３－０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受......
为满足目前对水下金属、蛙人等检测的应用需要,设计一种用于水下金属探测成像的压电式微机械超声换能器。在该结构中,在顶部电极和......
通过电容-电压（C-V）测试，测量得到了TiO2WO3压敏电阻的晶界势垒高度以及施主浓度等参数，测试结果显示99．75mol％TiO2＋0．25mol％WO3的样品势垒......
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碳化硅（SiC）具有宽禁带,高击穿电场,高热导率等优点,是优良的第三代半导体材料。SiC MOS器件特别适用于高温,高频大功率,强辐射的工......
碳化硅(Silicon Carbide)半导体材料凭借临界击穿电场高、热导率高、热载流子饱和漂移速度高、抗辐照能力强等特点,已经成为国际功......
针对硅片研磨和抛光产生的亚表面损伤层会影响栽流子寿命及界面态的特点，采用机械减薄、机械抛光、化学机械抛光（CMP）制备出不同粗糙......
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