随着半导体技术、通讯产业的不断发展,更快的信息传输速率及更宽的工作频带需求不断增加,对于新标准系统中器件性能要求也不断提高。由于氮化镓材料具有鲁棒性、高稳定性、高击穿电压等优点,因此基于Ga N工艺的放大器研究设计一直受到研究人员的青睐。低噪声放大器与功率放大器作为通信系统中射频前端收发机的重要器件,随着人类社会数字化程度越来越强,通信应用方面需求量的增加对其器件性能提出了更高的要求。针对通信系统射频前端模块的设计,本文的主要内容是采用Hi Wafer 0.25μm Ga N HEMT工艺制程设计了MMIC低噪声放大器芯片和功率放大器芯片,并完成芯片的设计、仿真、流片等。主要开展了以下工作:1、基于0.25μm Ga N HEMT工艺设计了一款S波段（2～4GHz）的MMIC低噪声放大器芯片,并完成了流片和芯片测试。电路为两级级联放大结构,输入、输出匹配均采用L形匹配结构,通过级间匹配网络连接电阻提高电路稳定性,同时获得平缓的增益平坦度曲线。测试结果显示,在2GHz～4GHz频段内,当两级工作电压为V_gs1=V_gs2=-3V,V_ds1=V_ds2=28V时,S₂₁为22.5 d B-24.3 d B,增益平坦度约为±0.9 d B,输入、输出回波损耗小于-10 d B,在90%频带内的噪声系数小于2.0d B,测试结果与仿真结果基本一致,满足该LNA的技术指标。2、基于Ga N HEMT工艺设计了一款工作频段为3.3 GHz～3.8 GHz的宽带功率放大器,并完成了版图仿真和流片。通过ADS软件仿真平台得到输出端负载阻抗和输出功率,再确定晶体管尺寸与数量,根据技术指标将电路分为功率级和驱动级两级电路分别设计,单独完成各级电路的指标之后再进行两级放大电路级联。电路采用栅极串联RC负反馈结构加强电路稳定性,匹配网络采用T形网络结构,在信号输入、输出端串联电容隔离直流信号。仿真结果表明,设计的功率放大器在3.3 GHz～3.8 GHz工作频带内,输出功率大于28 d Bm,增益大于23 d B,IMD3小于-42.186 d Bc以及IMD5小于-67.235 d Bc,实现了5G通信中功放高功率、高线性度要求,满足5G通信频段功率放大器的设计指标。