光致荧光谱相关论文
研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超......
采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层, 采用光致荧光光谱（PL）和时间分辨荧光发......
结合薛定谔方程和泊松方程,模拟计算得到GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料能带图,并对该材料进行光致荧光谱(PL)测量。结合......
InAs/GaAs半导体量子点(quantum dots,QDs)许多独特的物理性质,已经被广泛应用于开发新一代光电子器件,深入研究InAs量子点的光电......
在该文研究了Gap(111)单晶、处延片在90±2℃的CHCSNH溶液中不同钝化工艺条件对表面性质的影响.用X光电子能谱仪(XPS)和扫描电子显......
近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引......
氮化镓(GaN)是目前研究最为广泛的宽禁带半导体，是近年来蓝紫光半导体激光器研究中最重要的材料之一。围绕半导体材料的一些关键参......
CsI晶体及掺杂CsI晶体为重要的无机闪烁体，与目前广泛使用的半导体光电二极管光学匹配很好，在射线探测中有很广阔的应用。
本文......
本文用强激光直接辐照和弱激光辐照辅助电化学刻蚀方法在硅锗合金薄膜上形成多种低维量子结构。本文围绕着两个方面进行研究:一是......
采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs AlGaAs非对称耦合量子阱单元 ,通过光致荧光谱测量 ,研究了单纯的离子注入......
在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制......
对GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料进行了光致荧光谱（PL）测量，结合理论计算，由材料吸收峰位置得到势垒高度以及势阱基态位置，并由......
采用氧化和析出的方法在氧化硅中凝聚生成锗纳米晶体量子点结构。其形成的锗晶体团簇没有突出的棱角和支晶结构，锗晶体团簇的轮廓较......
以液态金属Ga作为催化剂合成了大量的非晶SiO2纳米线阵列.这些纳米线具有高度取向性,直径分布均匀,平均约8 nm,长度大于300μm.研......
热效应是限制外腔面发射激光器（VECSEL）输出功率和光束质量的主要原因.为了优化VECSEL增益芯片有源区量子阱的设计,降低激光器的热效......
对血卟啉生理盐水溶液的吸收谱和光致荧光谱进行了分析,并根据共轭化合物的休克尔分子轨道(HMO)图形理论对血卟啉πMO能量进行了估......
报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层（13～20nm厚）高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法，研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质......
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2......
InGaN半导体材料具有带隙宽度通过改变In组分可调的特点,被广泛应用在新一代光电子器件中,但绿光LED依然存在"绿隙(green gap)"问......
Ⅲ-Ⅴ族In(Ga)As/GaAs半导体量子点(quantum dots,QDs)纳米材料展现出很多优异的物理特性,在光电子器件领域具有广阔的应用前景。......
光电功能晶体是现代高新技术的关键材料。当前，光电子技术迅猛发展，信息的主要载体也由电子转向光子。依赖光电功能材料来实现光子和......
研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(P......
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器（Quantum Well Infrared Photodetectors，QWIP）是先进薄膜生长技术与微电子学相结合的新型红外探测器。......
研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器（VCSEL）器件结构的制作中.利用该技术不仅有利于提升器件的......
