功率MOSFET器件相关论文
In the environment of space radiation, the high-energy charged particles or high-energy photons acting on a spacecraft c......
功率半导体器件是电力电子技术发展的基础，功率MOSFET由于其具有高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率特性以及良好的热......
学位
文章针对空间用功率MOSFET器件2N7266进行了60Co源γ射线辐射试验研究。在辐射过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的......
期刊
可与外部N沟道功率MOSFET器件一同使用的全新三相无刷直流（BLDC）马达控制器AMT49413，它集成了高性价比三相马达驱动系统设计所需的大......
通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有正的温度......
该系列N沟道功率MOSFET提供高达500mJ的雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载导致过渡电压应力的设计。特性包括：导通阻抗......
安森美半导体（ON Semiconductor）推出18款优化直流一直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计......
德州仪器（TI）推出可在2SA电流下实现超过90％高效率的同步MOSFET半桥，其占位面积仅为同类竞争功率MOSFET器件的50％。全新CSD86350QSD功率......
本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V，进行了钻-60γ射线辐照试验研究。在γ射线辐照过程中，采用JT-1型晶体管特性图......
Microchip Technology Inc．（美国微芯科技公司）推出全新电源转换控制器系列及其首个功率MOSFET器件系列。该全新脉宽调制（PWM）控制器与......
文章针对空间用功率mosfet器件2n7266进行了60co源γ射线辐射试验研究.在辐射过程中,采用jt-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄......
介绍功能MOSFET器件在动态电路中的两个应用实例及其特色，并指出电路实验中引入少量的电子器件是电路实验发展的一个方向。......
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯迭克上市代号：ONNN）推出带开关控制器的电流镜......
安森美半导体（ONSemiconductor）推出6款新的通过AEC—Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET，用于汽车模块，采用小型扁平引脚（FL）封装。......
E系列600V和650V n沟道功率MOSFET器件在10V下具有64～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22～47A的额定电流范围。......
期刊
热阻是衡量功率MOSFET器件散热能力的重要参数,对其准确测试与分析具有重要意义。基于结构函数理论,同一功率MOSFET器件在不同条件......
恩智浦半导体（NXP Semiconductor）日前推出一套全新的电源管理解决方案，可有效减少大众市场上台式计算机和笔记本电脑的功耗。GreenCh......
本工作涉及利用^252Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术，对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试......
热性能是功率器件重点关注的对象,热失效已成为影响功率器件可靠性和使用寿命的重要因素。以SiC MOSFET功率器件为试验对象,设计测......
Vishay推出采用S08占位面积的30VP沟道功率MOSFET器件一Si7145DP，将10V、4．5V栅极驱动下的最大导通电阻降至2．6mΩ和3．75mΩ。凭借这些......
ONSemiconductor推出12款新的功率MOSFET器件，优化直流／直流（DC／DC）转换，并降低关键电平的功率损耗。这些MOSFET适用于笔记本电脑、台式......
日前，全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor）推出18款优化DC／DC转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSF......
功率MOSFET优化直流-直流转换并降低CPU／GPU供电、直流-直流转换器及高低端转换中的临界电流水平功耗。安森美半导体推出18款优化直......
安森美半导体推出带集成肖特基二极管的30V产品，扩充N沟道功率MOSFET器件阵容。这些器件包括：NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899N......
Vishay Intertechnology推出新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET器件SiA427DJ。SiA427DJ所采用的超小尺寸2mm×2mm PowerPAK SC-7......
安森美半导体日前宣布推出带开关控制器的电流镜CAT2300，将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NSSENSEFET 功率MOSFET器......
德州仪器（TI）日前宣布推出一款可在25A电流下实现超过90％高效率的同步MOSFET半桥，其占位面积仅为同类竞争功率MoSFET器件的50％。TI全新S......
安森美半导体（ON Semiconductor）推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET,用于汽车模块,采用小型扁平引脚（FL）封装。这......
本文主要介绍功率MOSFET器件无损封装的研究。通过对封装过程中可能存在的一些易损伤环节进行了分析，同时根据测试发现不良样品的信......
期刊
在进行大功率MOSFET器件的IGSS参数测试时,时常会出现测试值随着采样延迟时间的增加而减小的情况,该种情况极易造成合格器件的误判......
在芯片封装过程中,封装材料主要包括引线框架、焊接层、连接线、聚合物等,这些都有可能影响功率金属氧化物半导体场效应晶体管,即......
针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062，利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统，在252Cf模拟系统上开展了单粒子烧毁评......
期刊
选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261为研究对象，就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试......
期刊
