掩膜板相关论文
在TFT-LCD生产过程中,重复性缺陷是光刻工艺中最常出现的一类不良,它的特点是不良在显示屏上位置固定,重复出现的规律性明显.在对......
3.10光刻将光刻技术向更小尺寸发展一直都很困难,今年也不例外。半导体行业需要在2012年年底之前为22 nm半节距DRAM和16 nm半节距......
CRT荫罩制造工艺的基础技术是光刻腐蚀.应用于制造荫罩的精密光刻、精细腐蚀技术可以引伸应用到平板显示、微电子、微机械等许多领......
<正> 随着半导体微电子技术的发展与进步,集成度不断提高,器件的特征尺寸不断缩小。相应的集成电路制造用掩膜板(Reticle/Mask)也......
SEMI最新研究报告显示，2011年全球半导体光刻掩膜板市场达到了31．2亿美元规模，预估2013年这一数字可达33．5亿美元。继2010年达到高峰以......
本发明公开了一种在有机电致发光器件制作过程中，用于真空镀膜的掩膜板及其制作加工技术，它是在线切割及光刻腐蚀的基础上，利用齿、槽......
去年全球半导体光刻掩膜板市场已达到了30亿元规模,驱动这一市场成长的关键主要来自于先进技术持续进行微缩,......
运用光刻、湿法刻蚀技术，通过掩膜板补偿方法在以Pyrex玻璃为材料的底基上准确刻蚀出深30μm、宽70μm的沟槽，通过热键合工艺使底基......
针对低压功率器件传统工艺流程进行创新和优化,以原有的6层掩膜板为基础,对掩膜板层数进行削减,用接触孔掩膜板完成原有的保护环掩......
主要介绍了液晶面板发展中伴随着母基板尺寸越来越大所需的技术革新,如喷墨法的使用、掩膜板与溅射工序的取消以及制造成本的缩减......
提出一种基于泰伯效应利用泰伯子像实现光刻,并利用反演光刻技术由期望图案设计掩膜板的方 法。泰伯子像是在分数倍泰伯距离上出现......
