【摘 要】
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本文回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程，就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的两个主要问题进行了机理分析，并对GaN基HEMT器件的毫米波应用未来发展方向做出了前瞻。同时从GaN基HEMT器件材料结构设计入手对解决方案进行了探讨研究。认为，针对面向毫米波应用的GaNHEM材料结构，为有效的抑制短沟道效应，可以采用栅凹槽结构加背势垒。采用InAlN等材料，可以有效的降低导通电阻。
【机 构】
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河北工业大学,信息工程学院,天津300130;专用集成电路重点实验室,石家庄050051 专用集成
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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本文回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程，就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的两个主要问题进行了机理分析，并对GaN基HEMT器件的毫米波应用未来发展方向做出了前瞻。同时从GaN基HEMT器件材料结构设计入手对解决方案进行了探讨研究。认为，针对面向毫米波应用的GaNHEM材料结构，为有效的抑制短沟道效应，可以采用栅凹槽结构加背势垒。采用InAlN等材料，可以有效的降低导通电阻。
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