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本文用X射线衍射方法(XRD),四探针薄层电阻测试(FPP)等方法研究了Ni与PVD制备了非晶SiGe的反应特性.
Ni与非晶SiGe薄膜的反应特性研究
【摘 要】
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本文用X射线衍射方法(XRD),四探针薄层电阻测试(FPP)等方法研究了Ni与PVD制备了非晶SiGe的反应特性.
【机 构】
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复旦大学微电子学系(上海)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2004年7期
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采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究,改进工艺,提高单晶质量打下了良好的基础.
研究了Ar/O比对溅射沉积ZnCdO(x=0.1、0.2)薄膜带隙的影响.本实验所得的ZnCdO薄膜全是(002)择优取向的,没有CdO分相发生.其它条件不变,随着Ar/O的增加,薄膜带隙减小,当Ar/O=1:1时,薄膜带隙达到最小值.
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本文报道了一种新型的铟量子点单电子晶体管,利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长的特性,在纳米电极间隙上生长铟量子点;由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了单岛和多岛结构的单电子晶体管,并得到了明显的库仑阻塞特性.
采用化学共沉淀法制备零维纳米γ-FeO微粉,通过比表面测试,透射电镜和X-射线衍射分析其结构,并在10GHz的频率下测试了它们的微波吸收性能.结果表明:制备得到了零维纳米γ-FeO,在10GHz的频率下γ-FeO有吸收微波的能力,大约能吸收20﹪的电磁波.
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本文采用离子束辅助沉积方法在行波管的钨质栅网上沉积铪膜.在高真空的环境下,模拟行波管的工作条件,对不同设备,不同工艺参数沉积的铪膜进行耐热应力循环试验.应用SEM观察试验样品在高温热处理前后形貌的变化.用AES测量循铪膜的组份.研究分析了铪膜起皮脱落的原因.确定了制备具有良好耐热应力性能铪膜的工艺条件.
控制单脉冲能量350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出BiTiO薄膜材料.结果发现,SiO基底温度控制在500~600℃,均能获得纯的BiTiO薄膜.其介电常数约18.2左右,随频率变化比较稳定,介电损耗约0.015左右,并且在紫外波段200nm—450nm有着较强的紫外吸收能力,有望在微电子器件中获得应用.
利用双粒子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜,离子束能量在100~500eV范围内,较低衬底温度时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向,当衬底温度是700℃时,出现了立方结构,这是由于离子束加热的作用,导致低温下出现单斜结构.XPS研究表明薄膜中存在氧缺陷,经过改进工艺条件,消除了部分缺陷.
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