粲偶素和类粲偶素衰变中的耦合道效应

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近年来,随着实验设备和技术的发展,实验上发现了大量超出传统夸克模型的新结构,其中的一些被认为是奇特态强子的候选者。而且这其中有很多粒子的质量位于一对粲介子或底介子质量阈值附近,可能包含很大的强子分子态成分,是非常理想的强子分子态候选者。粲偶素能区的物理是粒子物理的一个重要研究领域,其产生和衰变过程与非微扰动力学密切相关,是深入理解强相互作用非微扰性质的重要途径。本文利用有效拉氏量方法和中间介子圈模型研究了粲偶素和类粲偶素衰变中的耦合道效应。第一章,介绍了粒子物理发展史以及强子谱学。第二章,简要介绍本文所用的研究方法和理论模型,主要包括量子色动力学、有效场理论、有效拉氏量方法以及中间介子圈模型。第三章,通过中间介子圈模型研究了粲偶素态χ’c1和χ’c2的无粲衰变过程χ’c1→VV和χ’c2→VP,其中V和P分别表示轻矢量介子和赝标量介子。利用有效拉氏量方法,计算了该过程中间粲介子圈的贡献。对于χ’c1→VV过程,ρρ,ωω,K*0K*0,K*+K*-衰变道的衰变分宽度可以达到MeV的数量级,而φφ衰变道的衰变分宽度只能达到KeV数量级。对于χ’c2→VP过程,K*+K-+c.c.,K*0K0+c.c.衰变道的衰变分宽度相当大,而χ’c2→ρ+π-+c.c.的衰变分宽度远小于χ’c2→K*K+c.c.的衰变分宽度。这是因为在χ’c2→K*K+c.c.衰变道中,由u/d夸克和s夸克的质量差引起的U自旋破坏远大于在χ’c2→ρ+π-+c.c.衰变道中由u和d夸克质量差引起的同位旋破坏。我们的结果可以在BESIII未来的实验中得以检验。第四章,通过中间介子圈模型研究了X(3872)的无粲衰变过程。X(3872)的无粲衰变为研究X(3872)的性质和衰变机制提供了一个很好的平台。基于X(3872)为DD*束缚态的分子态性质,通过中间DD*+c.c.介子圈研究了 X(3872)的无粲衰变过程X(3872)→VV和X(3872)→VP,其中V表示轻矢量介子,P表示赝标量介子。我们讨论了三种情况,分别是纯中性组分(θ=0),同位旋单态(θ=π/4)和中性组分为主(θ=π/6)。其中,θ表示混合角,描述中性组分和带电组分相对比例。中性组分和带电组分相对比例影响X(3872)→VV/VP的衰变分宽度。当X(3872)是纯中性束缚态时,预测的X(3872)→VV的衰变分宽度约为几个KeV,而X(3872)→VP的衰变分宽度可以达到几十个KeV。当X(3872)中既有中性组分又有带电组分时,预测的X(3872)→VV的衰变分宽度约为几十个KeV,而X(3872)→VP的衰变分宽度可以达到几百个KeV。第五章,给出了文章总结和对未来工作的展望。
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