功率VDMOS器件拥有高开关速度，高耐压，良好的热稳定性等一系列的优点。当前已在各类复杂工作环境下得到广泛的应用，如工业控制、电源、便携式电器、消费电子、汽车电子以及航空、航天等领域。但是，由于大功率也往往会带来较高的工作温度，导致器件的电学特性产生偏移，削弱了器件的性能和可靠性，因此，研究VDMOS器件的高温特性具有重要的现实意义。本课题主要是基于实验和仿真，研究功率VDMOS器件的高温可靠性。对功率VDMOS器件在高温循环以及持续高温情况下，出现的可靠性问题进行了深入的分析，研究成果如下：通过对某种小尺寸功率VDMOS器件进行高温循环实验，模拟由于温循造成的内键合点脱离而引发的栅极悬空，造成沟道电流增大的现象。进而从VDMOS器件物理结构出发，对器件的基本物理模型进行了分析研究，考虑器件内部结构，结合ISE软件建立器件结构模型，对器件进行了大量的仿真分析。通过仿真，揭示电流的形成机理，并进一步研究该现象对分析器件质量可靠性方面可能起的作用。研究了在持续高温、负偏压条件（NBT）下，功率VDMOS器件的阈值电压漂移的现象。通过实验分析，利用阈值电压漂移量的大小表征负偏压高温效应的退化，进而分析实验器件阈值电压漂移的影响因素：温度应力、栅氧电场和应力作用时间。研究结果表明:负偏压高温效应的退化可以用阈值电压的漂移量表征，通过温度应力、栅氧电场和应力作用时间分别对阈值电压的漂移量的影响，给出了一个具体的模型公式，并再次实验对其准确性给予验证，并由此公式得出器件的寿命表征公式。本文对研究功率VDMOS的高温可靠性相关的问题有一定的参考价值。