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锰氧化物是一种典型的强关联电子体系,内部存在电荷、自旋、晶格、轨道等自由度之间的强烈耦合,随着外部条件影响易发生不同自由度之间的转变。由锰氧化物与掺铌钛酸锶(Nb:SrTiO_3)构成的氧化物异质结在电场、磁场、光辐射等条件下表现许多新颖的物理现象。根据半导体理论,异质结的物理性质主要由界面态性质决定,如何调控异质结的界面态是新材料与新物理效应设计的关键;研究结果也表明不同厚度锰氧化物薄膜构成的异质结界面态存在一定的差异。因此本文将着重研究不同厚度锰氧化物薄膜异质结的电、磁、光等性质,特别是异质结的