本文主要研究了偶氮液晶聚合物在偏振激光照射下介晶基元的排列取向方式以及不同取向方式的液晶聚合物膜的阻隔特性。论文首先合成了系列偶氮侧链液晶聚合物,并对其聚合物结构等进行了表征。采用膜透射率变化和锥光干涉图表征了偶氮液晶分子的光致取向。得到的结果为:液晶聚合物膜采用线偏振光照射时,偶氮苯介晶基元沿面排列,形成单相筹面内取向态,该取向态的锥光干涉图为位于视场中心的粗黑十字,旋转载物台小于10°,干涉图即完全退出视场。采用圆偏振光照射时,介晶基元沿光入射方向取向,形成的锥光干涉图消光中心与取向的倾斜方向呈线性关系逐渐偏移视场中心。同时圆偏振光照射时介晶基元有面内取向和面外取向两种排列方式存在。圆偏振光垂直照射取向后的薄膜在在Tg以上温度退火处理后,面内取向的分子重新发生面外取向,液晶聚合物膜呈现单轴、垂直光轴切面的锥光干涉图样。　　 针对液晶聚合物膜的特性,本论文提出了利用金属表面氧化腐蚀方法研究液晶聚合物膜的阻隔性。该方法利用原位掠入射X射线衍射(GIXRD)和显微观察法研究涂液晶聚合物膜的金属表面氧化腐蚀,根据金属表面的氧化速度计算了聚合物膜的氧气渗透性能,结合X射线能谱仪(EDS)测得的氧化物中氧含量,得到液晶聚合物膜的氧气渗透率。根据此方法,论文研究了光致取向对液晶聚合物膜阻隔特性的影响。实验结果表明,采用473 nm线偏振光照无定形偶氮液晶聚合物后,膜对水和氧气的阻隔性提高近2.5倍,约为多相畴热致液晶相的1.25倍,光致取向使光照区域内所有介晶基元沿偏振光电矢量垂直方向排列,形成为整体的单相筹有序区,相当于消除了热致液晶相中多相筹液晶微相区之间的可渗透的无序区,因此光致取向能显著提高液晶聚合物膜的阻隔性能。