AlGaN/GaN HEMT以其较高热导率，耐腐蚀和抗辐射性能，在高压、高频、高温、大功率和抗辐照环境条件下超强的优势已经成为射频微波、电力电子等领域的重要研究对象。本论文主要研究了AlGaN/GaN HEMT器件制备中的关键工艺对器件性能的影响，并在优化工艺参数的基础上对器件进行制备研究。首先，针对ICP刻蚀台面有源区带来的电极爬坡问题，本文提出使用光刻胶做掩膜进行两次ICP刻蚀的方法。使得刻蚀出倾斜而非陡直台面，这提高了电极在台面侧壁的附着力；同时，两次ICP刻蚀在台面中间部位形成一个缓冲带，将单层台阶改为双层台阶，等效降低了电极的整体爬坡高度。其次，研究了退火温度和退火时间对AlGaN/GaN HEMT源漏电极欧姆接触的影响，研究得出获得Ti/Al/Ti/Au欧姆接触电极的最佳退火条件；为了改善退火后表面形貌，对不同组分源漏电极退火后形貌进行了研究，研究发现Ti/Al/Ni/Au较Ti/Al/Ti/Au需要更高退火温度才能获得欧姆接触，但却能得到更好表面形貌；为了降低Ni做阻挡层欧姆电极退火难度，提出Ti/Al/Ti/Al/Ti/Al/Ni/Au多层欧姆电极和纵向源漏接触孔结构，研究发现多层欧姆电极结构较传统四层欧姆接触电极能获得更低欧姆接触比电阻率和更好表面形貌；纵向源漏电极接触孔结构的使用，不仅降低了欧姆接触对退火条件的要求也获得了更好的欧姆接触效果。再次，研究了栅极金属组分和栅极热处理对栅极与AlGaN/GaN外延肖特基接触和HEMT器件直流性能的的影响。最后，设计不同结构和尺寸的器件版图，结合工艺优化后参数对AlGaN/GaNHEMT器件进行了制备，在结构和工艺上对器件性能进行优化。