【摘 要】
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该论文从解决大功率AlGaAs体系的退化和失效入手,通过改善激光器的结构,提出了一种新结构的量子阱激光器-远结(RJH)结构的量子阱激光器.这种结构激光器,p-n结与有源区分开,研
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该论文从解决大功率AlGaAs体系的退化和失效入手,通过改善激光器的结构,提出了一种新结构的量子阱激光器-远结(RJH)结构的量子阱激光器.这种结构激光器,p-n结与有源区分开,研究人员利用在器件工作过程中,高场区有吸收缺陷的作用,使缺陷从胡源区移出.所以就有希望通过结构的改善,来改变其退化机制,提高AlGaAs/GaAs大功率激光器的 寿命.RJH激光器的特点是:在工作初期,随着时间的加长,阈值降低,效率变大,输出功 率增加,但是导通电压比一般DH激光器高.该文分析并计算了量子阱(QW)激光器的载流子注入特性,进而对优化设计分别限制(SCH)的单量子阱(SQW)RJH激光器的设计起一定的辅助作 用.
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