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描述了一种基于InP材料沿[011^-]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成。通过一个横向缓冲台面结构，降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度，改善了光发射单片光电集成电路的可制造性。采用该方法制作的光发射单片直流功耗为120mW，在码长2^23-1传输速率1．5Gb/s伪随机码信号调制下有清晰的眼图，光输出功率为2dBm。