【摘 要】
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通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al,Ga)2O3混晶。当Al3+掺杂浓度达到0.26的时候,晶体生长出现开裂现象。进行X射线衍射分析,结果表明所得β-(Al,Ga)2O3混晶保持了β-Ga2O3的晶
【机 构】
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中国科学院上海光学机械精密研究所,中国科学院大学,武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
【基金项目】
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Science and Technology Commission of Shanghai Municipality ( 13111103700)
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通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al,Ga)2O3混晶。当Al3+掺杂浓度达到0.26的时候,晶体生长出现开裂现象。进行X射线衍射分析,结果表明所得β-(Al,Ga)2O3混晶保持了β-Ga2O3的晶体结构,晶体没有出现其他杂质相,并且随着Al3+浓度的增加,晶格常数a、b、c减小,β角增大;核磁共振光谱显示Al的确进入了Ga的格位并且取代了Ga的四配位和六配位格位,两者的比例约为1:3。通过测试β-(Al,Ga)2O3混晶的透过光谱,得出β-(Al,Ga)2O3混晶的禁带调节范围为4.72-5.32
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