γ—Al2O3／Si（100）薄膜高真空MOCVD异质外延生长

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dbfan

【摘要】

：

本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜，从ＲＨＥＥＤ看到硅上生长的薄膜是立方单晶γ－Ａｌ２Ｏ３的衍射图样；平移样品，图样并不发生变化。

【作者】

：

昝育德王俊

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1998年12期

【关键词】

：

MOCVD 外延生长 SOS 硅 Metallorganic chemical vapor deposition Semiconducting aluminum

【基金项目】

：

国家计委“八五”重大基金,国家计委“九五”重大基金

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本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜，从ＲＨＥＥＤ看到硅上生长的薄膜是立方单晶γ－Ａｌ２Ｏ３的衍射图样；平移样品，图样并不发生变化。Ｘ射线双晶衍射看到，除了硅的（４００）峰和（２００）峰以外，只有２θ为４５°处有一个低而宽的小峰。ＸＰＳ谱给出氧的１ｓ峰位为５３２．３ｅＶ，Ａｌ的２ｐ峰以我，只在２θ为４５°处

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