【摘 要】
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利用电子自旋共振仪分析了C+、Si+对高质量4H-Si C外延片中本征缺陷ESR谱的影响。结果表明:与原始样品相比,C+、Si+离子注入不仅降低了外延片中的本征缺陷浓度,同时可导致本
【机 构】
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宁波大红鹰学院,中电集团第46研究所,
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利用电子自旋共振仪分析了C+、Si+对高质量4H-Si C外延片中本征缺陷ESR谱的影响。结果表明:与原始样品相比,C+、Si+离子注入不仅降低了外延片中的本征缺陷浓度,同时可导致本征缺陷种类发生变化;Si+注入使样品中本征缺陷浓度降低约61%,而C+注入使本征缺陷浓度降低达63%以上。
The effect of C +, Si + on ESR spectra of intrinsic defects in high quality 4H-Si C epitaxial wafers was analyzed by electron spin resonance. The results show that C + and Si + ion implantation not only reduces the intrinsic defect concentration in the epitaxial wafer but also leads to the change of intrinsic defect types. Compared with the original sample, Si + implantation reduces the intrinsic defect concentration in the sample by about 61% The C + implantation reduced the intrinsic defect concentration by more than 63%.
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