【摘 要】
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近日,日本京都大学、东京电子、罗姆等宣布,使用“量产型SiC(碳化硅)外延膜生长试制装置”,确立对SiC晶圆进行大批量统一处理的技术已经有了眉目。由此具备耐高温、耐高压、
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近日,日本京都大学、东京电子、罗姆等宣布,使用“量产型SiC(碳化硅)外延膜生长试制装置”,确立对SiC晶圆进行大批量统一处理的技术已经有了眉目。由此具备耐高温、耐高压、低损耗、大电流及高导热系数等特征的功率半导体朝着实用化迈出了一大步。目前,三家已经开始使用该装置?
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