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使用自动变温霍耳测试系统测定了减压MOVPE外延生长的Cδ掺杂AlxGa1-xAs多层外延与pipiAlxGa1-xAs超晶和。结果表明,以TMAl为掺杂源的Cδ掺杂AlxGa1-xAs多层外延样品的二维空们浓度可达到1.1*10^13/cm^2,比以TMG为掺杂源的样品提高一个数量级,且其掺杂浓度对Al摩尔分数的依赖程度远使使用TMG为低。实验还发现具有10^15/cm^2二维空穴浓度的Cδ反杂