反射式高能电子衍射仪相关论文
随着科技的发展,半导体领域工艺制造水平越来越高,传统的硅基半导体器件已变得不适用。石墨烯材料由于自身的高载流子迁移率、低电......
学位
随着社会的发展和科学技术的进步,现代社会对测量实验仪器的需求及其性能要求在不断提高。虚拟仪器改变了传统仪器的思想,充分利用......
半导体工艺水平逐步强大,器件的尺寸逐渐微缩化,Al_2O_3薄膜因为自己本身的高介电常数、高带隙、高透光率得到广泛的研究。其作为......
学位
在分子束外延（MBE）中波HgCdTe薄膜过程中，利用反射式高能电子衍射（RHEED）对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究......
反射式高能电子衍射仪（RHEED）是一种表面分析工具，以往都是用来对晶体进行定性观察，以研究晶体的结晶状况，很少用来进行晶体结构的定量......
采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具.通过......
采用分子束外延技术，在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时，利用反射式高能电子衍射仪（RHEED）对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。......
由于GaAs衬底与InGaAsSb的平均晶格参数存在7%的晶格失配,论文通过系列实验研究了GaSb、AlSb缓冲层技术:通过优化GaSb、AlSb缓冲层......
