噪声容限相关论文
本文首先基于Landau Khalatnikov理论通过使用BSIM4模型来对NC-FeFETs进行建模,分析NC-FeFETs具有的栅极电压放大作用.之后考虑到......
为了提高芯片的系统性能,动态电路已经广泛地应用于高性能ULSI芯片设计中.然而动态逻辑门不具有与静态逻辑门相当的抗噪能力,在采......
本文对BFL单元电路进行了改进，首次提出一种新型的GaAs单电源单元电路，并研究了该单元电路与SiTTL电路的接口电路，实验结果表明该单元......
一个光电二极管加上两个运放和一个比较器有助于构成数据传 输速率能达到800kb/s的光纤接收器(图1)。小的封装(运放为SOT23-5;比......
本文在对双极器件各参数的低温特性的详细分析基础上，对低温ＥＣＬ电路的直流和瞬态特性进行了理论和实验的研究，并据此对电路进行了进一步......
采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电......
深亚微米工艺的日趋成熟为电子设计自动化（ＥＤＡ）提供了空前广阔的空间，也使之面临许多崭新的课题，其中，最引人注目的是快速电路模拟技术和互......
将一个键控电阻分压器与ADC相连接,就能构成简单而且便宜的键盘编码器(图1)。这类电路特别适用于μC上带集成ADC部件的嵌入系统。......
分析了 Ga As源耦合 FET逻辑电路的结构 ,阐述了该电路的工作原理、开关特性和噪声容限 ,分析了该电路的特点。
The structure of......
在可编程逻辑器件(PLD)领域,虽然人们较多地关注大型、复杂、基于查表的现场可编程门阵列(FPGA),同时有越来越多的设计采用基于乘......
在分析了利用分段线性混沌映射产生随机数原理的基础上 ,给出了一种基于混沌的随机数产生器结构 ,设计出了基于此结构的数 模混合......
CMOS器件的基础以低功耗和低电压驱动为标志开始活跃的CMOS器件,诞生以后十多年至今,由于引进超LSI技术,其集成化达到与日俱增的......
提出了一种pn混合下拉网络技术,即在多米诺门的下拉网络中混合使用pMOS管和nMOS管来降低电路的功耗并提高电路的性能.首先,应用此......
亚阈值数字电路技术是特殊的超低功耗技术,适用于对低功耗要求苛刻,但速度要求不高的应用领域。该文提出了亚阈值数字标准单元设计......
设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功......
近年来,随着量子信息技术的飞速发展,关于量子比特所承载的“量子信息"在信道中传输的量子通信研究己受到广泛关注。任何受到外界......
本设计实例描述了一种简单而有效的方法为连接在I2C总线上的设备提供光隔离(图1)。这个电路改进了早期的版本。(参考文献1)。
Thi......
介绍了一种由两个交叉耦合反向器构成的6-晶体管(6-T)存储单元的噪声容限分析方法。对6-T CMOS SRAM单元的稳定性作了分析及仿真。......
5.8 设备其他性能要求5.8.1 设备功耗5.8.1.1 遥测终端机值守功耗 a)自报式终端机:≤200μA×12V; b)应答式及兼容式终端机:......
80年代末计算机病毒在全球的蔓延,使整个计算机界感到极度恐慌,由此进一步认识到计算机本身所固有的缺陷。本文由计算机在现代电子......
（l）防止高频电磁波和高频脉冲信号的相互干扰。线切割机床和电火花机床在逻辑电平、噪声容限、脉冲信号的强度和波形参数、脉冲电源......
本文对照某大型计算机使用的 MECL 10K 电路,对 FAIRCHILD 公司的 F100K亚毫微秒逻辑电路系统的抗干扰能力,即直流噪声容限及交流......
CMOS静态RAM有很多引人注意的优点,那就是:静态功耗低,噪声容限高,单电源工作,工作电压及温度范围宽(通常为3～15伏和-55℃～125℃),......
CMOS集成电路具有功耗低,噪声容限高,单电源工作,工作电压范围宽的优点。因些自六十年代问世以来,发展迅速,目前已广泛地应用于各......
一、国外数字电路发展概况在数字电路二十年的进程中,始终朝着高密度、低功耗、高速度、低成本的方向发展. 高密度往往是反映集成......
CMOS集成电路已经有10年以上的工艺历史,可以说它的成功在于CMOS的低功耗性。由于PMOS和NMOS的共存,降低了集成度并增加了工艺的复......
本文着重介绍新型硅栅CMOS逻辑电路74AC系列的主要特性及其与其它电路系列,特別是第三代双极型TTL 74ALS的比较。该电路系列兼具CM......
4.0 降低功耗4.1 CMOS 系统低功耗设计技术4.1.1 使用可接受的最低钟频因为多数 CMOS 器件的功耗正比于输入的开关频率,设计者面......
本文主要讨论了５４／７４ＨＣ高速ＣＭＯＳ逻辑电路的性能特．点及接口电路。
This article mainly discusses the 54 / 74HC high-speed CMOS logic circ......
1.0 前言1.1 80C86/80C88简介随着高性能 CMOS 工艺 CHMOSⅢ的出现,Intel 公司把 CHMOS 的优点引进工业标准的16位微处理机8086/8......
E/DMOS与普通E/EMOS相比,具有速度高,输出幅度大,电源电压低,功耗延迟乘积小,集成度高等特点,适合于大规模集成电路。现先对其基......
机械设计人员和LSI设计人员减小漏电流的对策,主要针对亚阈值漏电流。但是,对于65nm及以下的工艺,栅漏电流将使机械设计人员和LSI......
本文叙述一个三值双极型逻辑系统。功能的实现采用已有的综合法。文中确定了该电路的噪声容限,并对三值系统和二值 TTL 系统构成电......
本文论述了用集成注入逻辑(I~2L)技术制造可编程序逻辑阵列(PLA)的某些考虑。这些考虑以I~2L特有的实验数据为基础,并在三种不同编......
在ECL电路系统组装工艺中,如问确定ECL电路组件间允许的工作温差,是系统热设计工艺控制技术中最先要解决的一个问题。 据根ECL基......
目前的集成注入逻辑(I~2L)结构显示出高组装密度和极好的速度功耗乘积,这是将横向pnp晶体管和反向运用的多收集极npn晶体管结合起......
具有CMOS低功耗电流特性,同时具有同LS TTL(低功耗肖特基TTL)一样高速度的超高速C~2MOS逻辑电路(称为新的HSC~2MOS电路)试制成功,......
这篇文章首先简要地评述了表征组成I~2L 基本单元的侧向pnp晶体管和反向工作的多收集极npn晶体管相应的器件参数。定量地讨论了这......
本文报导了一种新的低功耗逻辑电路,它用了一个多发射极三级管的输入电路和一个修改了的互补p-n-p、n-p-n输出级,几乎具有与标准的......
本文研究了采用氧化物隔离工艺的高速低功耗肖特基晶体 管-晶体管 逻辑(TTL)电路。在此工艺中,晶体管被氧化物所包围着。特别是由......
