金属硅化物相关论文
设计并采用激光熔炼工艺制备出镍基固溶体γ增韧的Mo_2Ni_3Si三元金属硅化物合金。差式扫描量热分析(DSC)及高温金相实验表明,该合......
从理论上提出了硅的一种新型金属性亚稳相,并通过弹性常数和声子谱的计算验证了该结构在常压下的稳定性.该结构可以通过以?-La Si5......
本文采用第一性原理计算方法研究了不同Al含量的TaSi1-xAlx2化合物的结构稳定性、弹性性能,深入了解Al合金化对TaSi2机械性能的影......
含共价键和离子键的Fe-Si和Mo-Si金属间化合物材料,强度大、硬度高、耐腐蚀和抗磨损性能优、高温抗氧化能力强,但该类材料作为结构......
随着社会发展和对环境保护日渐严苛的要求,化学品越来越追求温和条件下的精准合成,同时追求过程废弃物的低排放,因而对催化剂的性......
以MoO3、Si粉和Al粉为原料,采用机械化学还原法制备了Al2O3-Mo3Si/Mo5Si3纳米复合粉体.利用X射线衍射(XRD)、激光粒度分析仪(LPS)......
用反应沉积法 (RDE)制备了一系列铁钴硅化物即 Fe( 1 - x) Cox Si2 薄膜 ,样品中掺杂的 Co含量由卢瑟福背散射 (RBS)确定。本文研......
本文通过流片实验,制作了Cr、Ni、Ti等特种金属硅化物和Al金属肖特基二极管,并对其电流电压特性进行了测试比较.结果表明,与Al/Si......
研究热丝化学气相沉积(HWCVD)中高温热丝对衬底温度的影响,热丝扫描电镜表面形貌和Auger谱表明了硅在钨丝表面的沉积,讨论了金属硅......
对ｎ－Ｓｉ（１００）基底上蒸发的锰薄膜，通过固相反应法作成ＭｎＳｉ与ＭｎＳｉ〈，１．７〉薄膜。具体的说就是，经过对Ｍｎ（薄膜）／Ｓｉ（１００）系统进行各种温度不同时间的热处理，得出：大约４００℃左右、......
金属硅化物的制备方法和工艺条件对硅化物的形成及分布有显著的影响,从而影响其显微结构.本文采用高分辨电镜观察薄膜的界面结构,......
为了实现问接带隙材料一硅的高效发光，人们在材料工程方面探索具有直接带隙的半导体材料。β-FeSi是少有的几种半导体型金属硅化物，......
近二十多的来,具有低电阻率和优良的高温及化学稳定性的金属硅化物已在大规模集成电路中获得重要应用.而金属锗化物,也由于其高的......
近年来,具有低电阻率和优良的化学稳定性的金属硅化物因其广阔的应用前景而受到人们的注意,并发展了多种合成技术.其中离子束合成(......
Nb-Si系金属间化合物中，Nb5Si3和NbSi2因具有高熔点低密度的特征，成为新一代航空发动机中极具发展潜力的高温结构材料。但Nb-Si系金......
难熔金属硅化物具有高熔点、高强度、较低的密度以及良好的高温抗氧化性能，是非常具有潜力的高温结构材料，但是高的室温脆性阻碍了其......
金属硅化物具有高熔点、高强度、适当的密度以及良好抗氧化性能和抗腐蚀性能,是一种极具潜力的高温结构材料,但是,其脆性成为阻碍......
Mo5Si3在Mo-Si系中具有最高熔点、最宽的成分范围、良好的高温抗氧化性能和抗蠕变性能而成为近年来研究的热点。但是其室温脆性严......
难熔金属硅化物Mo5Si3被认为是极具潜力的高温结构候选材料。但是，室温脆性大、高温强度不足阻碍了其实际应用。本文以MoO3、 Cu、M......
在过去的半世纪中，集成电路产业经历了高速的发展。如今MOSFET的特征尺寸已经缩小到50纳米以下。短沟效应、强场效应、量子效应、各......
随着CMOS集成电路制造技术持续向亚0.1μm工艺推进,器件的源漏结深和多晶硅栅的厚度将越来越小;同时CMOS集成电路也需要更低温度的......
金属硅化物(Silicide)已在集成电路工业中获得了广泛应用,特别是在现代MOS工艺中,随着集成度的提高,线宽的缩小,对材料工艺也提出......
金属硅化物通常具有很高的熔点、较低的电阻率、很好的高温热稳定性,有些还具有奇异的光、电、磁、超导、催化等性能,因此是一类最......
金属硅化物和氮化铝作为高可靠性电子功能材料，随着信息技术的发展不断引起人们的研究兴趣，特别是其低维结构的电学性质，更是研究的重......
建立了计算机控制的快速傅立叶深能级瞬态谱测试系统,对该方法所存在的问题进行了研究,并提出了新的方法.相对于传统深能级瞬态谱(......
本论文利用X射线衍射分析技术、扫描电子显微分析技术、能谱分析实验手段，绘制了V-Si-Zr三元合金973K等温截面相图与Nb-Si-Y三元合......
以Mo粉、Nb粉、Si粉为原料,采用热压法制备(MoMb)Si(x=0,0.2,0.4)难熔金属硅化物合金,利用电化学测试及盐酸浸泡腐蚀实验,研究该合......
采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析......
以Mo、W、Si粉为原料,采用机械活化结合热压烧结的方法制备了不同W含量的MoSi2合金试样。结果表明,合金元素W加入后,其主要物相为M......
研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结......
设计并采用激光熔炼工艺制备出镍基固溶体γ增韧的Mo2Ni3Si三元金属硅化物合金.差式扫描量热分析(DSC)及高温金相实验表明,该合金......
为改善Mo5Si3的本征脆性,采用电弧熔炼/高温退火技术制备了(MO1-x,Nbx)5Si3)(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)合金,并结合X射线衍射(XRE)......
采用Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在Si(100)上制备外延CoSi2薄膜.用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该......
利用激光熔炼材料制备技术,制得了由三元金属硅化物Ti2Ni3Si初生枝晶和枝晶间Ti2Ni3Si/Ti共晶组成的金属间化合物耐磨耐蚀合金;采......
研究了在Co/Ti/Si结构中加入非晶GeSi层对CoSi2/Si异质固相外延的影响,用离子束溅射方法在Si衬底上制备C o/GeSi/Ti/Si结构多层薄......
采用直流电弧放电法进行内嵌金属富勒烯的研究,探讨是否存在金属硅化物的富勒烯和硅的富勒烯.通过高效液相色谱法分离产物成分,并......
研究了顺次淀积在 Si (10 0 )衬底上的 Ni/ Pt和 Pt/ Ni的固相硅化反应 .研究发现 ,当 1nm Pt作为中间层或覆盖层加入 Ni/ Si体系......
采用离子注入方法制备β- Fe Si2 薄膜 ,选择 C作为掺杂元素 ,得到了β- Fe Si2 硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄......
