【摘 要】
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CoSiN薄膜可以作为超大规模集成电路Cu布线互连材料使用。本文利用磁控溅射技术制备了CoSiN/Cu/CoSiN/SiO2/Si薄膜。利用四探针测试仪、薄膜测厚仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等来检测多层膜电阻率、薄膜厚度、表面形貌、元素含量及价态等。考察亚45nm级工艺条件下CoSiN薄膜对Cu的扩散阻挡性能。实验结果表明,在氩气气氛条件下经500℃30min热退火处理后多层膜的电阻率和成
【机 构】
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Department of materials science and engineering Faculty of Physical Science and Technology,Yunnan Un
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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CoSiN薄膜可以作为超大规模集成电路Cu布线互连材料使用。本文利用磁控溅射技术制备了CoSiN/Cu/CoSiN/SiO2/Si薄膜。利用四探针测试仪、薄膜测厚仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等来检测多层膜电阻率、薄膜厚度、表面形貌、元素含量及价态等。考察亚45nm级工艺条件下CoSiN薄膜对Cu的扩散阻挡性能。实验结果表明,在氩气气氛条件下经500℃30min热退火处理后多层膜的电阻率和成分没有发生明显变化,CoSiN薄膜能够保持良好的铜扩散阻挡性能,经600℃热退火处理后,Cu大量出现在表面,CoSiN薄膜对Cu失去扩散阻挡性能。
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