用气体分子流预喷射进行低温硅外延

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【摘要】

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用气体分子流预喷射进行低温硅外延＝Ｌｏｗｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓｉｌｉｃｏｎｅｐｉｔａｘｙｕｓｉｎｇｇａｓｍｏｌｅｃｕ－ｌａｒ－ｆｌｏｗｐｒｅｓｈｏｗｅｒｉｎｇ［刊，英］／Ｙａｍａｄａ，Ｋ．…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．－１９９３，１４０... Low-temperature silicon epitaxy with gas molecular pre-injection = Lowtemperaturesiliconepitaxyusinggasmolecu-lar-flo

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

1994年04期

【关键词】

：

外延生长预喷射分子流化学汽相淀积硅衬底硅表面硅膜起始温度温度梯度工艺温度

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