vdmos相关论文
VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是功率器件重要的组成部分,也是构成电源开关、DC-DC变换器的核心器件......
随着工艺技术的发展,现代VDMOS可承受的击穿电压值越来越高,常规的VDMOS结构由于极厚的外延层,因此导通电阻值随着耐压的增加而大......
MOSFET功率器件具有驱动方式简单、易集成、易并联、输入阻抗高以及开关响应快等优点,广泛应用在交通运输、生活娱乐以及军事航空......
本文介绍了一种适用于ＶＤＭＯＳ功率集成电路的双扩散ｐ阱ｎＭＯＳ器件新结构，该结构具有与ＶＤＭＯＳ工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现ｎＭＯＳ处理......
电力电子器件是一门新学科和新技术。其主要参数向三维（高压、高频、大电流）方向发展。其结构主要是ＭＯＳ控制与ＢＪＴ和晶闸管的结合和逐步实现......
提出一种新型的Ｐ阱ＮＭＯＳ功率集成电路制作技术。理论分析表明，该技术可以较好地实现ＶＤＭＯＳＦＥＴ与Ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。实验结果表明，利用该技术获得的器......
提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法．该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接（ＢｕｔＪｏｉｎｔ）沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有......
介绍了一种汽车用高边智能功率开关电路的工作原理。对该电路所涉及的功率ＶＤＭＯＳ器件、隔离技术及ＣＭＯＳ／ＶＤＭＯＳ兼容工艺设计进行了详细分析，最后给出了......
在国际上80年代中后期出现的一种绝缘栅双极晶体管IGBT,它是微电子的先进工艺技术向电力电子领域渗透发展的产物,人们称之谓第三......
采用解析分析的方法．开发了ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的稳态解析模拟软件．它可模拟与ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布相关的直流特性。本文介绍了模拟所采用的物理模......
对VDMOS－NMOS兼容集成结构击穿时的电场特性进行了二维数值模拟，模拟结果分析表明：在适当的器件几何尺寸与制造工艺条件下，对接NMOS的......
研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连......
本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式．在......
《中国电子报》消息:深圳深爱半导体利用自身独具的行业和技术有利条件,即将建成占地10万平方米的5英寸功率集成电路深爱半导体生......
介绍FAIRCHILD公司的A-FET类和B-FET类功率器件,分析它们的结构、特点及参数的异同,为整机设计用户提供参考。
Introducing FAIRC......
据iSuppli数据报道:世界电力电子器件市场销售额每年以9%的速率递增。 VDMOS器件以每年32.6%的速率增长,IGBT为30%。预计到2005年......
给出了采用硅外延BCD工艺路线制造的低成本的VDMOS设计,纵向上有效利用17μm厚度的外延层,横向上得到的VDMOS元胞面积为324μm2,工......
从蜂窝基础构件原设备制造商到军界的许多终端用户将会继续购买各种类型的分立RF/微波二极管与晶体管。与MMIC或RFIC不同,制造混合......
报道了基于硅外延BCD工艺的高栅源、高漏源电压的功率pMOS的设计.采用1μm厚的场氧化层作为栅氧介质及RESURF原理优化的漏极漂移区......
Degradation behaviors of 20 V NLDMOS operated under off-state avalanche breakdown conditions are presented.A constant cu......
Total dose effects and annealing behavior of domestic n-channel VDMOS devices under different bias conditions were inves......
A novel structure of a VDMOS in reducing on-resistance is proposed.With this structure,the specific on-resistance value ......
A novel planar vertical double-diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with inhom
A novel planar vertical double-diffused metal-oxide-semiconductor (VDMOS) structure with an ultra-low specific on-resist......
An accumulation gate enhanced power U-shaped metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(UMOSFET) integrated with ......
A novel short-anoded insulated-gate bipolar transistor(SA-IGBT) with double emitters is proposed.At the on-state,the new......
逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上。逆导型IG......
致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布扩展高频率垂直扩......
Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconduc......
Ultra-low specific on-resistance vertical double-diffused metal-oxide semiconductor with a high-k di
An ultra-low specific on-resistance trench gate vertical double-diffused metal-oxide semiconductor with a high-k dielect......
The RC-IGBT(reverse conducting insulated gate bipolar transistor) is a new kind of power semiconductor device which has ......
Using positive surface charge instead of traditional-ray total dose irradiation, the electric field distribution of a P-......
A simple equivalent circuit model is proposed according to the device structure of reverse conducting insulated gate bip......
超结VDMOS与常规VDMOS的主要差异在于漂移区,超结VDMOS是在常规VDMOS的n型漂移区中插入了p型区。此p型区具有较大的深度与宽度比,......
现如今我国的工业自动化程度也在不断的提高,VDMOS器件的重要性也不断的显现出来。针对我国当前的VDMOS发展现状,相关的学者也进行......
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Ultra-low specific on-resistance high-voltage vertical double diffusion metal–oxide–semiconductor fi
A new ultra-low specific on-resistance(Ron,sp) vertical double diffusion metal–oxide–semiconductor field-effect transi......
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中的特定pn结反偏击穿电压,由于pn结特性,击穿......
依据VDMOS可靠性实验获得的性能指标退化数据,选择导通阻抗作为表征VDMOS性能退化的关键指标,用二阶最小二乘估计的方法拟合了VDMO......
高密度组装导致MCM芯片间热耦合效应增加,结温增加来自芯片自发热和热耦合效应。该文以调宽功放的多个功率管为研究对象,关注多芯......
大多数开关电源都朝着高速、高效率、高集成度的方向发展,其产生的电磁干扰(EMI,Electromagnetic interference)问题愈来愈严重,同......
功率半导体是是电子电力领域的重要元器件,在全场景的控制系统中都扮演者重要角色。技术推进到现在,VDMOS凭借其输出功率大、开关......
功率VDMOS器件凭借着承受电压高、承受电流大、开关速度快和频率特性稳定等众多优点被广泛应用于航天电子设备中,但宇宙空间中的带......
随着功率半导体器件的不断发展与电子电力技术的进步,其可靠性一直是电子科学与技术领域关注的重点。功率循环试验是利用科学假设......
