宽带隙相关论文
能源是推动人类社会文明发展与进步所需要的重要资源。其中,太阳能作为“取之不尽,用之不竭”的清洁能源受到了研究人员的广泛关注......
近些年来对绿色能源的需求推动了光伏产业的快速发展，而太阳能电池作为光电转化的核心器件受到了广泛的关注。目前硅基电池是商业化......
由于独特的层状结构和较大的表面积,二维材料表现出有趣的电子、光学和力学性能,可制备各种性能优异的设备。但是二维材料制备的器......
原子厚度的非层状二维结构近年来备受关注。基于密度泛函理论(DFT),我们对一些二维材料的性质进行了预测和研究。我们完成了两项主......
随着科学技术的发展,环境污染和能源短缺等问题日益突出,急需开发绿色能源来取代传统资源。近些年来有机太阳能电池,因其具有大面......
基于表面态在禁带中均匀分布和分立离散分布两种假设,对碳化硅表面态计算方法进行了研究.然后通过氢等离子体对n型4H-SiC表面特性......
本文设计了一种基于纳米尺度分布式布拉格反射光栅(nano-DBR)结构的一维光子晶体宽禁带波长调制系统.根据1.55μm通信光所在波段性......
三维光子晶体是一种通过适当设计可以控制电磁波传输的人工周期结构。它因具有光子禁带和负折射特性而使其研究具有重大的科学意义......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通......
简述了金刚石半导体电气性质,即高击穿电场、宽带隙、高载流子饱和速度、高载流子迁移率和高热导率。回顾了金刚石器件的研究进程......
有机太阳能电池因为制备过程简单、重量轻、成本低廉和可制成柔性器件等优点受到了广泛的关注。近年来,随着窄带隙小分子受体材料......
采用飞秒激光微加工系统对宽带隙陶瓷材料SiC和Al2O3诱导微结构时的去除机理及烧蚀特性进行了研究。应用扫描电子显微镜、粗糙度轮......
运用FDTD(时域有限差分法)研究了弹性波/声波通过二维正方形排列的铁/水声子晶体的传播特性.发现铁/水声子晶体在高频范围存在完全......
随着化石能源储量的日益减少以及在开采与使用过程中造成的环境污染问题,对于清洁能源例如太阳能的高效利用成为全球性共识。有机......
近年来,基于有机无机金属卤化物钙钛矿的叠层太阳能电池引起了巨大的研究热潮。但是,不稳定性限制了其商业化。适用于顶部子电池的......
以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器......
自1990年代以来,出现了以GaN,ZnO和SiC为代表的新一代宽带隙半导体材料。这些材料在紫外光电探测器,大功率器件,短波长发光二极管......
理论表明,当流过SiC肖特基势垒二极管的正向电流恒定时,在一定温度范围内,器件两端的正向压降与温度变化之间存在线性关系。利用此......
在飞速发展的纳米技术支撑下,近年来基于一维纳米材料的冷阴极场致电子发射研究和应用研发获得丰富的成果.相应的理论研究也不断深......
β-Ga2O3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga2O3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga2O3单晶生长面临的......
介绍了两种由半导体表面场产生THz辐射的物理机制：一种是利用半导体表面的耗尽层电场,另一种是利用半导体表面的Dember电场加速载流......
利用最新的粒子群优化算法,发现一种新型立方碳结构（命名为sc-C20,=4.886）,并对其性质及可能的合成方法进行了研究。在常压下sc-C20......
基于ZnO形成的机理,运用半导体能带理论,分析了金属和ZnO的欧姆接触和肖特基接触特性;在p-Si衬底上,采用直流及射频溅射获得掺Al的......
在宽带隙聚合物光伏材料研究中,我们设计合成了一系列新型宽带隙共轭聚合物给体材料PBT1-MP、PBT1-EH和PBT1-BO。共轭聚合物是由相......
<正> 八十年代末期,随着GaN材料生长和掺杂等关键技术的突破,尤其是1993年12月,在光电子领域名不经传的日本日亚化学工业公司在世......
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设计、合成了宽带隙发深蓝光荧光的吡啶酮衍生物3,5-二甲基-6-腈基-2-（1H）-吡啶酮（DNPE）,对其荧光特性进行了研究。通过红外光谱、核磁......
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分别在Al：ZnO（ZAO）薄膜和Mo薄膜两种不同衬底材料上，采用“三步法”共蒸发工艺沉积了约0．8Ixm厚的CuGaSe：（CGS）薄膜，用X射线衍射仪测量薄膜......
聚合物太阳能电池具有制备工艺简单、成本低、重量轻以及可制备大面积柔性器件等突出优点,一直是能源高分子领域研究热点之一。最......
芴基聚合物作为研究最为广泛的一种蓝光材料具有可修饰性好、高的荧光效率、深蓝发光等优点,但是低迁移率、多种相态以及不稳定发......
用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底,形成欧姆接触,研制出Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器.文章测试......
氮化铝属于Ⅲ-Ⅴ族半导体,是典型的第三代半导体材料,它具有特宽禁带和非常大的激子束缚能,其中禁带宽度为6.2e V,属于直接带隙半......
采用宽带隙半导体材料SiC,进行紫外光电探测器的制备。基于机械性能和化学稳定性考虑,增透抗反膜的制备采用SiO2+Al2O3工艺,同时对......
氧化锌本身禁带宽度为3.37 eV,激子结合能高达60 meV,且原料丰富,价格低廉,ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、气敏性......
非易失性有机场效应晶体管(OFET)存储器具有制备工艺简单、成本低、设计性强、非破坏性读取、可与柔性衬底集成、单个器件可以实现......
紫外探测技术在军事和民用领域都有着广泛的应用。目前,商业化的半导体紫外探测器主要采用的是无机材料,但它们的加工工艺复杂,生......
近年来,稀磁半导体(DilutedMagnetic Semiconductors)(DMS)因表现出独特的磁有序现象备受人们关注,对其独特磁性的理解涉及到很多......
基于第一性原理研究C3N4、SiC2N4、Si2CN4和Si3N4这类由C原子不断被Si原子替换所形成宽带隙的碳氮硅晶体材料的晶体结构和电子结构......
