MoCVD相关论文
纵观半导体在微电子领域的发展历史,带隙更宽的半导体材料逐渐备受青睐,而发展性能更为优异的半导体材料是必然选择。近年来,新型......
日盲紫外光电探测器因其具有低背景噪声、高灵敏度、强抗干扰能力等优势,在导弹预警、空间保密通信、环境监测以及火灾监测等军事......
阐述4H-SiC同质外延生长过程中出现的三角形缺陷。基于三角形缺陷的成核原理，对外延层结构和生长参数进行改进，从而在4H-SiC衬底与外......
金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术以气相源的热分解反应作为基础，其适合规模化生产，是现今生长半导体材料的主要制备方式。在MOCVD生......
直腔面发射激光器（VCSEL）具有边发射半导体激光器不可比拟的优点,作为最早商业化的VCSEL器件,850nm VCSEL目前的应用领域已经相当广......
期刊
近年来,随着蓝绿光波段发光二极管（Light Emitting Diode,LED）制备技术的日趋稳定和成熟,对于紫外发光二极管（Ultraviolet Light Emit......
AlN单晶薄膜是重要的第三代半导体材料,具有宽带隙、耐辐射、耐高温等特点,广泛用于制备半导体发光器件和功率器件。金属有机化学......
AlN单晶薄膜是一种重要的半导体材料,具有宽带隙、高击穿电压、耐高温、耐腐蚀的优良特性,是制备蓝紫光发光二极管、大功率电力电......
GaN作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、饱和电子漂移速度高等诸多优点,是制备高频大功率电子器件的理想材料。GaN......
InAlN三元合金材料是制备高电子迁移率晶体管（HEMT）的理想材料,其a轴晶格常数在In N a轴晶格常数（0.3533 nm）和Al N a轴晶格常数（0.3112......
β-Ga2O3是近年来新兴的超宽禁带半导体材料之一,因具有4.2～4.9eV的超大禁带宽度,高热稳定性和天然衬底可以大规模生产等特点而受到......
REBCO超导薄膜在4-77 K的整个应用温区的不可逆磁场都较高;因此,基于REBCO涂层的第二代高温超导带材,具有最好的磁场特性潜力和最......
GaN基发光二极管（LED）由于节能环保已被广泛应用在了照明和显示领域,但薄膜结构的商用LED外延材料存在发射波长单一、位错密度高、极......
InGaN/GaN量子阱已被广泛应用于蓝色、绿色甚至黄色光谱范围的发光二极管（LEDs）和激光器二极管（LDs）。但是,当发射波长从蓝光转变到绿......
AlGaN材料作为第三代半导体材料在深紫外发光二极管（DUV-LEDs）等光电子器件领域具有非常广泛的应用前景。理论上,由非极性Al Ga N材......
学位
阐述9N超纯氨气的纯化器设计,应用于光电子领域及MOCVD设备,包括纯化器工艺设计、纯化器外观设计、纯化器仪控设计,采用两塔吸附方......
无机非金属材料在人们日常生活以及高新技术发展中扮演了至关重要的角色,本文针对无机非金属材料在非线性光学以及第三代半导体材......
We demonstrate a high-operating-temperature (HOT) mid-wavelength InAs/GaSb superlattice heterojunction in-frared photode......
随着物联网和人工智能产业的兴起,亟需低功耗、高稳定性的微纳传感器。目前,商用的半导体气体传感器通常采用金属氧化物（如SnO2）纳米......
Four-inch high quality crack-free AIN layer grown on a high-temperature annealed AIN template by MOC
In this work,based on physical vapor deposition and high-temperature annealing (HTA),the 4-inch crack-free high-quality ......
State-of-the-art AlGaN/GaN high electron mobility structures were grown on semi-insulating 4H-SiC substrates by MOCVD an......
金属有机化学气相沉积(MOCVD)作为一种常见的金属材料制备方法,可在远低于金属熔点或分解温度的条件下制备各种金属薄膜、异质结构......
The effect of nitrogen flow and growth temperature on extension of GaN on Si substrate has been studied.By in-creasing t......
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The MOCVD process was adopted to grow the REBa2Cu3O7-δ ((REBCO), RE= rare earth elements) films on the LaMnO3 (LMO) tem......
用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法以三甲基铟为源材料,以O2为氧化气体,在蓝宝石衬底(0001)面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜......
Gradual Doping Growth Method for Textured Surface Boron-doped ZnO-TCOs Thin Films Applied in Solar C
In order to obtain high quality transparent conductive oxides (TCOs) thin films with high optical transparency in the vi......
由于ⅡI-V族半导体纳米线具有低维结构,较高的电子、空穴迁移率等优点,在未来高性能电子器件和光电器件中将会有广泛的应用价值,近......
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石上生长了铟镓氮量子点外延结构,通过变温(4K～300 K)光致发光(PL)实验详细分析了量子......
在蓝宝石衬底上外延生长GaN-LED的研究最多的是C面蓝宝石衬底.采用R面蓝宝石衬底上生长非极性GaN的研究也已经有较多的报道,但是关......
Structural and electrical properties of Al2O3/LaAlO3/Al2O3 films deposited using various tunnel oxid
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Analyze for In Pnanowires morphology formed by Au -assisted metal- organic chemical vapor deposition
In this paper,the (VLS) growth of the In PNWs on In P(100) substrate with Au particles as catalyst was reported.The NWs ......
本文采用卷对卷MOCVD工艺在镀有IBAD MgO缓冲层结构的Hastelloy合金衬底上制备出了高性能的REBCO薄膜带材.为了进一步改善REBCO薄......
使用金属有机物气相沉淀方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过......
宽光谱透明导电氧化物(TCO)材料及其在薄膜太阳电池上的应用已成为新的研究热点.增加TCO 薄膜在近红外区域的光学透过对于提高太阳......
Effect of the mole ratio of metal organic sources on the performance of MOCVD-deposited Gd0.5Y0.5Ba2
A home-designed MOCVD system has been employed to prepare Gd0.5Y0.5Ba2Cu3O7-δ (GdYBCO) thin films on LaMnO3/ epitaxial-......
The multi-pass technique has been proven to be practical in fabricating long REBCO tapes with high critical currents,whe......
因具有特殊的错开型能带结构,InAs/GaSb II型超晶格材料在红外探测领域具有广泛的应用前景,是目前国际上的研究热点。与传统红外探......
会议
InAlN/GaN heterstructures have attracted general attention due to their high spontaneous polarization and the possibilit......
晶体薄膜生长的多道工艺是将一个厚膜的制备过程分成几个较薄的膜的制备过程.多道工艺方法被证明是制备高临界电流REBCO超导长带的......
采用自主设计的单一液相源进液MOCVD系统在LaMnO3/epi-MgO/IBAD-MgO/SDP-Y2O3/Hastelloy alloy基底上制备多层(Gd0.5,Y0.5) Ba2Cu3......
P型掺杂一直是Ⅲ氮化物系列光电子器件关键技术,基于AlInN材料的光电子器件也是如此。目前虽已有几个课题组开展了相关的研究。但......
三(乙酰丙酮)合铱(Ⅲ) [Ir(acac)3]易升华,分解温度低,是金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备铱低维材料的理想前驱体[1-3].然而Ir(......
难熔金属以其高熔点、高硬度、高强度等独特的性能得到了广泛的应用。难熔金属主要包括钨、钼、铼、铌、钽、铬、钛、锆、铪等。本......
根据现行氮化镓金属有机物化学气相沉积的生长动力学理论，结合商用垂直喷淋式反应器，运用计算流体力学方法，耦合化学反应动力学和输运......
采用金属有机化学气相沉积(MDCVD)方法在Si衬底上制备了NiO薄膜,扫描电子显微镜(SEM)和x射线衍射(XRD)分析显示,随着温度的升高NiO......
近些年,InAs/GaSb II型超晶格材料很多方面的性质已经得到研究,本文中,我们利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)的方法在GaSb衬底上......
We have successfully employed metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) to simultaneously deposit double-sided YBa......
