图形尺寸相关论文
对AutoCAD的DXF文件格式及其实体段的构成作了简要的说明,并通过实例对其线性尺寸标注和形位公差部分代码进行注解.重点讨论了如何......
摘 要：本文对中职"AutoCAD"课程的教学内容和教学方法改革进行了分析和探討，并提出了适合中职教育发展的以培养实践能力为导向的教学......
介绍了ＩＧＢＴ的结构设计及终端设计，利用ＳＤＢ技术制备所需ＮＮ￣＋Ｐ￣－基片，设计了合适的工艺流程，制备出１０００Ｖ／２０Ａ的ＩＧＢＴ器件。最后给出测试结果。
The structural desig......
微米级生产线实用化电子束曝光机研制成功５月２３日中国科学院组织有关专家对电工研究所完成的微米级实用化电子束曝光机进行了技术鉴定......
混合微电子学的发展前景东立关于混合电路技术的前景，在相关的电子学杂志和工业界已讨论多年，普遍认为军品市场的不断萎缩已给该技术......
随着计算机技术的快速发展,制造业对二维计算机绘图以及三维计算机造型的技术要求逐渐提高,将三维造型设计技术融入到工程图学教学......
随着２１世纪的到来，半导体工业也做好了向下一代片子尺寸———３００ｍｍ的过渡。新一代生产线具有提高生产效率的能力，它将支持摩尔定律，继续进......
进入转折点的光刻技术ＰａｕｌＣａｓｔｒｕｃｉ，ＷｏｒｔｈＨｅｎｌｅｙ，ＷｏｌｆｇａｎｇＬｉｅｂｍａｎｎ著，ＰａｕｌｃａｓｔｅｕｃｃｉａｎｄＡｓｏｃｉａｔｅｓＩｎｃ，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ，ｍａｓａｃｈｕｓｅｔｓ立文译在更小图形尺寸和更大片子直径的不断驱动...
Photolithography at the turning point Paul Casstr......
拟用于可见和红外区的三维光子晶体的制造，较其二维晶体困难得多。其制造技术包括常规光刻与全息光刻。已发展出各种方法以制造三维......
LDMOS 功率管工作在线性区时,R_(DSon)取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度。非自对准LDMOS 功率管漂移区的一端与栅极没有......
对单件或小批量生产的零件,能否广泛采用位移度标注,关键在于解决计量问题。《航空标准化》今年第1期刊登了余道良同志的文章,提出......
冷冲模具使用的量大面广,而其生产方式基本上是单件生产。同时,培养一个熟炼的模具设计人员和制造工人需要近十年的时间,因为要设......
英国原子能管理局卡拉姆实验室已研制成一种可望提高内燃机耐久性的激光淬火法,这种工艺是在铸铁活塞镶钢环槽的侧表面作抗磨处理......
我们知道设计冲裁模时,都要通过巧妙的运算,合理安排条料排样图,使材料被充分利用。例如图1中的斜排法。而恰恰这一斜排,给线切割......
极紫外(EUV)投影光刻掩模在斜入射光照明条件下,掩模成像图形位置和成像图形特征尺寸(CD)都将随入射光方向变化,即存在掩模阴影效......
本文叙述关于用光学法自动测量集成电路和大规模集成电路用的掩模或基片上所形成的微细图形尺寸的方法.图1是利用放大的光学象测量......
近期,笔者有幸参加了“实现底图档案管理科学化”课题调,走访了多家科研单位和施工企业,查阅了较多底图档案文献,得到了不少启示。......
介绍了一种利用计算机技术解决汽轮机通流部套定位止口的照配问题，并实现图形尺寸自动标注的新方法。该方法具有较强的指导意义和可......
你的网页中,可能设计有许多栏目或是标题。在浏览器中,这些栏目或标题只是一些文字或者是一些图片,只有点击这些文字或图片以后。......
我们在分析物理问题时，往往要绘制“物理草图”.所谓的“物理草图”是指为辅助分析、解决物理问题而徒手或部分借助工具绘制的不十......
将参数化概念与方法引入到舰炮零部件设计中,探讨了设计思路和实施步骤,编制了离合器参数化设计软件包,并实现了转管炮中离合器的......
转瞬之间,《电子世界》已走过20个春秋。 值此刊庆之际,我们谨向多年来热情支持、帮助《电子世界》杂志的广大读者、作者和企业致......
在对很多精密零件上的锥体进行加工时,最好是在工件一次装夹中与其它部位一起加工完成,并达到高的同轴度(小于1μm)。Kel-Set测量......
详细论述了数控技术多媒体课件的制作意义,介绍了课件的总体设计构架和课件制作的重要前提-多媒体制作工具软件的选择。
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我们应用的各种制版、光刻设备,其目的不外乎将各种掩模图形复制到基片上去。其常用的复制方法,我国目前仍采用光学曝光。无视这......
ＧｏｒｄｏｎＭｏｏｒｅ先生现是英特尔公司的名誉退休董事长，美国仙童半导体和英特尔公司的共同创建人，物理学博士，早期曾与晶体管的发明人ＷｉｌｉａｍＳｈｏｃｋｌｅｙ先生一起工作。Ｍｏｏｒｅ先......
微细加工技术与高密度器件是超大规模集成电路的两大支柱。微型加工技术大致分为:在抗蚀剂上形成图形的光刻,光刻用的抗蚀剂材料和......
一、引言 在电子工业飞跃发展的今天,半导体器件生产已进入了一个崭新的阶段。目前半导体器件生产正朝大规模集成电路、超高频大......
本文前半部分详细地介绍了紫外线、电子束、X射线光刻的目前水平和近几年的发展趋势。并介绍了几种腐蚀方法(主要是干式腐蚀方法)......
16.1、序言在集成电路制造工艺中,如果集成电路的图形尺寸超过了光的波长,那么用于光刻的光掩模今后也将继续使用。集成电路掩模......
本文介绍三种变形电子束(可变矩形,可变条形,可变园形)曝光技术的原理及目前发展情况。比较详细地叙述了EL—3,VLS—1000,Waferwr......
一、VLSI的发展概况和分析通常,人们用集成度和门延时功耗积(τ_d·P_d)作为IC发展的标志。在1960～1975年间,集成度的提高为4倍/2......
半导体集成电路的发展,特别是大规模、超大规模集成电路的发展,在国民经济、军事及日常生活的各个方面都引起了深刻的变化。国外......
一、前言 VHF正向AGC管在我国已有较长的生产史,但至今大多数厂家仍采用类似高频小功率管CG36的设计版图,最细线条(发射区)为2.5......
在新兴的集成电路技术中技术革新搞得很快,而且经济效果也很显著。由于硅片尺寸的增大以及图形尺寸的微细化引起了集成度的不断提......
本文讨论了LSI和VLSI的器件技术及微细加工技术的现状和未来的前景。讨论的主题是MOS技术和双极技术,CMOS技术和NMOS技术以及SOS技......
随着半导体集成度的提高、芯片尺寸的增大,掩模的质量成了影响片子成品率的最重要因素之一。大量生产高质量的掩模技术,对半导体......
在结型场效应管(J-FET)和恒流管(CRD)的生产中(CRD实质上是一个栅源短路的结型场效应器件),除了它的参数要求及相应的图形尺寸设......
很多电子电路,像电压——时间变换电路,方波变换和模——数变换器等都使用比较器。这种高速集成比较器能够在任意电平上对两个电......
半导体集成电路的大容量化,高密度化的发展是惊人的。若以存贮器为例,其容量每3～4年增长4倍,采用的图形尺寸每4～5年缩小一倍。随着这......
