InGaP相关论文
本文对影响ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器阈值电流密度的晶格失配，掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论．从Ｋｕｐｈａｌ和Ａｒａｉ模型着手计算了与ＩｎＰ晶格匹配ＩｎＧａＡｓＰ的熔体组成......
利用一套ＣＣＤ显微荧光图像观测和采集分析系统，分别在室温和液氮温度下对半径为５μｍ发射波长０．６５μｍ的ＩｎＧａＰ半导体光学微盘的荧光图像进行了观测．在绿......
本文利用分子束外延(MBE)技术能精确控制外延层厚度的特点,与选择性腐蚀技术相结合,实现了纳米级超薄基区宽度.利用集电极电压VCE......
通过双生长室工艺研究了与GaAs晶格匹配的InGaP和GaAsP的氢化物VPE。论证了InGaP/GaAs超晶格结构生长的突变而很平坦的界面。用已......
本文首次报道了在ＧａＡｓ衬底上采用新的双层ＩｎＧａＡｓＰ限制层和ＩｎＧａＰ光限制层工艺制作无铝应变云子阱Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ激光器。得到的宽条激光器的阈值电流密度低至５８Ａ／ｃｍ２，就作者......
本文研究了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构的气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）生长，所得样品晶格失配率△α／α＜８．９５×１０￣（－５），本底载流子浓度为１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）数量级，掺硅ｎ型样品的载流子浓度控制范围可......
本文给出了带有Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１ｉ包层的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ应变量子阱激光器实验结果。镀有ＡＲ－ＨＲ膜、并有ｐ－ｎＩｎＧａＰ电流阻挡结的掩埋异质结激光器，在连续波（ＣＷ）和室温（ＲＴ）下，给出３．１ｍＡ的低阈值电流和......
文中根据负反馈补偿原理,针对InGaP/GaAs HBT的自热效应,设计了改善其自热效应的复合管结构.仿真结果表明,InGaP/GaAs HBT复合管的......
该文探讨了GaAs HBT在高速和射频领域的应用前景;介绍了HBT的基本原理、基本结构及主要类别;分析了GaAs基HBT制作的关键工艺;较好......
该文首先叙述了HBT的特性、结构设计、典型材料结构、制作工艺以及GaAs基异质结双极晶体管结构的研究状况,然后详细描述了分子束外......
目的应用INGAP多肽在体外建立新的分步诱导分化体系诱导胰岛新生。方法分离纯化SD大鼠的胰腺导管干细胞。并体外扩增培养,取2～6代细......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
采用涡轮LP MOCVD外延技术 ,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长 2 0对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管 (LED)。外......
高性能的低噪声放大IC（MMIC）是Sirenza的主导产品。制造材料从SiGe，GaAs到InGaP；频率从DC到8GHz；封装从2x2QFN，SOT363，SOT86，SOT89到ESOP8，S......
安捷伦科技公司(Agilent Technologies)推出采用CoolPAM技术的4mm×4mm功放(PA)模块系列产品。CoolPAM能明显地降低电池功耗，使......
基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺技术,提出了一种3.4～3.6GHz功率放大器芯片电路的设计.功率放大器采用三级级联放大电路结构,其输出匹......
CoolPAM系列HBT功放模块采用先进的InGaP(磷化铟镓)HBT(异质结双极晶体管)MMIC(微波单片集成电路)技术，实现了一流的可靠性、温度稳......
RFMD（www.rfmd.com）公司近日宣布,他们已成功利用公司现有标准6英寸半导体设备生产出集成GaAs（砷化镓）和InGaP（磷化铟镓）的双结光伏单元（d......
通过采用发射极一基极金属自对准、发射极镇流电阻，电镀空气桥等工艺改善了器件的高频特性，提高了器件热稳定性与功率特性。当器件工......
通过采用发射极一基极金属自对准、发射极镇流电阻，电镀空气桥等工艺改善了器件的高频特性，提高了器件热稳定性与功率特性。当器件工......
锐迪科微电子（RDA）近日宣布,采用GaAs InGaP HBT工艺的高线性2.5-2.7GHz WiMAX宽带功率放大器RDAW263投入量产。RDAW263是为处于2.5-......
Anadigics公司的AWT6241HELP3^TMPA是用于UMTS手持设备的下一代产品。该PA集成了Anadigics公司的HELP3^TM技术,无需外部稳压器或DC......
通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生......
采用涡轮LP-MOCVD外延技术,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长20对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管(LED).外延片......
ANADIGICS的HELP3E功率放大器采用该公司独有的InGaP—Plus技术，在中低输出功率电平范围实现最佳效率，而且静态电流非常低。紧凑的3m......
本文首次报道了在ＧａＡｓ衬底上采用新的双层ＩｎＧａＡｓＰ限制层和ＩｎＧａＰ光限制层工艺制作无铝应变云子阱Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ激光器。得到的宽条激光器的阈值电流密度低至５８Ａ／ｃｍ２，就作者......
Amelioration of type 1 diabetes following treatment of non-obese diabetic mice with INGAP and lisofy
Type 1 diabetes mellitus results from the autoimmune and inflammatory destruction of insulin-producing islet β cells, r......
报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-P......
对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜（AFM）、电子显微镜......
采用InGaP／GaAs HBTs设计并实现了传输速率为10Gbps的跨阻放大器．在电路设计上采用两级放大器级联的形式以提高跨阻增益，在第一级采用......
介绍L波段、低偏置电压下工作的自对准InGaP／GaAs功率异质结双极晶体管的研制．在晶体管制作过程中采用了发射极一基极金属自对准、空......
利用一套ＣＣＤ显微荧光图像观测和采集分析系统，分别在室 液氮温度下对半径为５μｍ发射波长０．６５μｍ的ＩｎＧａＰ半导体光学微盘的光图像进行了观测。......
研究了高速射频集成电路(RFIC)中InGaP异质结双极晶体管(HBT)器件的特性。测试了单指发射极和双指发射极两种结构器件的大信号DCI-......
ANADIGICS推出其移动4G功率放大器（PA）系列新品AWM6268 WiMAX／LTE功率放大器，为2．5GHz-2．7GHz频段提供了更高的输出功率，提升了传输范围和......
基于WIN InGaP/GaAs HBT工艺，设计了一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器。该功放工作在AB类偏置状态，由三级放大电路级联构成，并......
本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱......
我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光......
