Nc-Si相关论文
本文对比生长在不同SiOx薄膜中之两种硅纳米晶(NC-Si)的近红外光荧光特性,并对其发光机制作出定性分析.SiOx薄膜是在电容耦合式超......
采用三极管型等离子体增强化学汽相淀积（TriodePECVD）系统，适当选取硅烷（SiH4）和氢气（H2）流量比制备纳米硅（nc-Si：H）薄膜．保持栅极偏压为－100V，......
采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，以高Ｈ２ 稀释的ＳｉＨ４ 作为反应气体源，以ＰＨ３ 作为Ｐ原子的掺杂剂，在Ｐ型（１００） 单晶硅（ｃ－ Ｓｉ） 衬底上，成功地生长了掺Ｐ的纳米硅膜（ｎｃ－ Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ） 膜。通过对膜层结构......
采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向......
Hydrogenated nano-crystalline silicon (nc-Si∶H) film is of much higher light absorption coefficient than that of mono-c......
Amorphous silicon (a-Si) films, of 400 nm thick, are deposited on single-side polished (100) crystalline silicon (c-Si) ......
Nc-Si∶H films with thickness of about 1.0μm were deposited on glass substrates by hot-wire chemical vapor deposition.A......
本文使用高沉积速率(＞1.5 nm/s),研制了a-Si:H/nc-Si:H/nc-Si:H三结电池,重点对电池结构、工艺和相应技术进行了分析,并讨论了太阳......
Sandwiched structures (a-SiNx/a-Si/a-SiNx) have been fabricated by the plasma enhanced chemical vapour deposi-tion techn......
,Charge storage characteristics of hydrogenated nanocrystalline silicon film prepared by rapid therm
The early stages of hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) films deposited by plasma-enhanced chemical vapour de......
Intensive blue photoluminescence (PL) was observed at room temperature from the nanocrystalline-Si/SiO2 (ncSi/SiO2) mult......
自NC-SI规范颁布以来,在开源的Linux操作系统中还没有实现符合NC-SI规范网络控制器的驱动。通过对NC-SI协议的和Linux系统网络控制......
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术通过改变N2O流量低温制备不同微观结构的镶嵌纳米晶硅的富硅氧化硅(nc-Si/SiOx)薄膜,利用傅......
采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si......
以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)法制备的氢化非晶硅氧 (a Si∶O∶H)薄膜微结构......
对nc Si SiO2 薄膜中纳米硅 (nc Si)、Er3+ 和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究 .在 5 14 .5nm光激发下 ,nc Si SiO2 薄膜在 75......
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本文研究一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本论文研究的太阳能电池具体结构是：Al电极／GZO／P型nc-Si：H／I层本征I......
采用等离子体化学气相沉积系统生长非晶硅薄膜并用原位等离子体氧化的方法制备出具有不同子层厚度的非晶Si／SiO2多层膜，然后利用限制......
利用射频等离子体增强型化学气相沉积（RF-PECVD）工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在玻璃和石英衬底上制备了氢化纳米晶硅（nc-Si：H）薄膜.......
采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可......
采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si......
运用AMPS-1D软件对n-ZnO/i-ZnO/p-nc-Si结构的异质结薄膜太阳能电池进行了模拟,探讨了补偿掺杂i-ZnO层厚度变化以及界面态的引入对......
运用AMPS-1D软件对n-ZnO/i-ZnO/p-nc-Si结构的异质结薄膜太阳能电池进行了模拟,探讨了补偿掺杂i-ZnO层厚度变化以及界面态的引入对......
通过选择激发光荧光技术研究了生长在SiO2中的掺铒纳米硅（nc—Si：Er）的光学性质。当激发光光子能量高于1．519eV时，nc—Si：Er的室温光荧光......
The Charge Storage of Doubly Stacked Nanocrystalline-Si based Metal Insulator Semiconductor Memory S
Doubly stacked nanocrystalline-Si (nc-Si) based metal insulator semiconductor memory structure was fabricated by plasma ......
利用等离子增强化学气相沉积（PECVD）技术,采用NH_3等离子体预氮化法淀积α-SiN_x介质膜,同时结合layer by layer生长nc-Si的方法一次......
本文首先评论了近5年来各类Si基纳米材料在光增益和受激光发射特性研究方面所取得的最新进展.进而指出,晶粒有序的小尺寸和高密度......
