氧化硅薄膜相关论文
减少栽流子的表面复合损失，提高钝化效果，采用氧化硅-氮化硅双层薄膜结构是一种比较好的方法。本文通过热氧化方法和PECVD方法生长了......
通过平面工艺和微机械加工技术将硅基SiN/SiO双层驻极体膜制作成2mm×2mm的小片,通过电晕充电及等温表面电位衰减测量,考察了微型......
光致衰退效应是制约非晶硅薄膜电池发展的一个重要因素.在非晶硅/微晶硅叠层电池中引入中间层结构可以对太阳光进行选择性分配,反......
本文进行了大气压下等离子体枪合成SiOx薄膜的实验研究.通过傅立叶交换红外光谱和扫描电子显微镜检测,探索了SiOx薄膜结构随等离子......
采用溶胶-凝胶方法,以正硅酸乙酯为先驱体,通过硝酸银引入银离子,在不锈钢表面制得银离子掺杂抗菌不锈钢薄膜.实验测试了薄模在10﹪F......
采用离子辅助/中频磁控反应溅射工艺进行氧化硅、氮化硅、氧化铌薄膜材料的沉积实验,探讨溅射工作条件和工艺参数对于膜层材料的加......
用低温等离子体处理聚硅浣涂层成功地制备了SiO膜.IR谱给出Si-O键的吸收峰波数随氧等离子体处理时间不同在1065-1088cm范围变化;XP......
采用缠绕式射频磁控溅射方法在PET表面沉积SiOx薄膜。通过红外光谱(FTIR)，扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)观察分析射频功......
用低温等离子体处理聚硅浣涂层成功地制备了SiO膜.IR谱给出Si-O键的吸收峰波数随氧等离子体处理时间不同在1065-1088cm范围变化;XP......
用射频（ＲＦ）共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌ＳｉＯ〈，２〉复合薄膜ｎｃ－Ｇｅ／ＳｉＯ〈，２〉，观察到了多峰的光致发光现象。发现随着激发光波长的增长，多......
采用对非晶氧化硅薄膜退火处理方法获得纳米晶硅与氧化硅的镶嵌结构。室温下观察到峰位为２．４ｅＶ光致发光。系统地研究了不同退火温度对薄......
氮氧化硅(SiON)有许多优良的特性，特别是其折射率可调、击穿电场高，因而在光学器件和深亚微米MOS技术方面有广阔的应用前景。该文重......
二氧化硅(SiO2)薄膜的折射率低、消光系数低、色散小、附着力强、粗糙度小,在可见光和近红外区域均为透明,是一种理想的光学薄膜。......
表面钝化是高效太阳电池的一项关键技术。现今,在光伏行业中广泛应用的钝化技术有等离子体增强化学气相沉积氮化硅PECVD-SiNx,原子......
角度不敏感颜色滤光片在显示、大角度探测、无油墨印刷等领域具有重要的应用前景,其中金属-介质-金属型角度不敏感滤光片具有透过......
a-Si材料因其结构的无序性因而具有较高的光吸收，而μc-Si材料的带隙较低可将光谱响应较拓宽到1100 nm左右。a-Si/μc-Si叠层太阳能......
薄膜自组装技术是近几年十分受关注的研究领域。本文采用电辅助自组装技术,选取FTO导电玻璃和高定向裂解石墨(HOPG)作为薄膜组装基......
压电材料作为一种重要的功能材料，广泛应用于各个工业部门、高科技领域和日常生活的各个方面。但传统的压电材料多含有重金属铅，在当......
随着半导体工艺技术的不断提高以及材料科学研究的不断深入,对半导体薄膜以及低维结构的制备与物性研究已成为当今发展最为迅猛的......
单晶硅(c-Si)太阳能电池由于其较高的光电转换效率而在光伏领域占据重要的地位。随着工艺的发展，c-Si太阳能电池效率的提高需要对硅......
近些年来，光学谐振腔，特别是光学微腔具有较高品质因子和较小模式体积等优点，在许多领域越来越成为一个比较重要的研究热点，包括基础研......
Si、Ge和SiGe合金纳米颗粒是一类新型半导体纳米材料，既可以作为未来硅基光电子集成中潜在的纳米尺寸光源，又具有非常重要的基础研究......
20世纪80年代末诞生并发展起来的纳米科学技术有可能成为21世纪的主导技术。纳米材料具有许多传统材料无法媲美的奇异特性和特殊功......
本文采用射频磁控溅射技术，以SiO和单晶Si为靶材，在P型Si和不锈钢基底上制备出一系列的SiO薄膜样品。基于金相显微照片、原子力显微......
随着信息技术的飞速发展,信息采集、贮存、处理的容量和速度要求日益提高,电子时代的重要物质基础半导体器件正在接近或已经达到其......
近年来,大气压冷等离子体射流(APPJ)沉积薄膜的技术越来越受到人们的关注,因为放电装置的优点是成本低,不需要昂贵的真空设备,操作......
由于晶体Si的带间跃迁发光效率比GaAs等化合物半导体低3-5个数量级,无法满足光电子器件的需要,完全的硅基光电子集成网络也一直未......
摘译在聚合物表面沉积一层薄膜可以有效阻止氧气和水蒸气的渗透,目前比较常用的阻隔膜为氧化铝薄膜和氧化硅薄膜。氧化铝薄膜具有......
采用溶胶-凝胶技术并结合蒸发诱导自组装工艺,以三嵌段共聚物EO20PO70EO20(P123)为模板剂,使用浸渍提拉法制备了有序介孔氧化硅薄......
以正硅酸乙酯(TEOS)/C4F8/Ar为气源,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a-SiCOF介质薄膜,并借助X射线光电......
Si 富有的硅氧化膜被 RF 磁控管劈啪作响到合成 Si/SiO_2 目标上扔。在在不同温度退火了以后，与硅 nanocrystals 嵌入的硅氧化膜被......
为了使介孔薄膜更广泛地应用于分离、催化、化学传感器、发光材料和太阳能电池等方面,人们对其合成与应用进行了研究。文章综述了......
用C2H5OH溶液氧化H钝化的Si表面（H-Si）得到一层氧化硅超薄膜。原子力显微镜（AFM，Atomic Force Microscope）的结果显示，氧化前后的表面均......
现场采集ＰＥＴＥＯＳ发射光谱，分析和研究用等离子体正硅酸乙酯淀积氧化硅反应的机理和产物，并初步探究如何达到工艺控制，应用于生产的问题。......
Improving the galvanizability of high silicon advanced high strength steels(AHSS) is a practical technical challenge. In......
利用射频磁控溅射复合靶技术，通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜。并在不同的温度下退火。制得含纳米硅的氧化硅薄膜．通过......
介绍了用正硅酸乙酯和水混合物进行等离子体增强化学汽相沉淀制备氧化硅膜的原理和工艺，对膜质量进行了分析和讨论。......
本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入饵的发光特性，富硅氧化硅薄膜采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入饵，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０－３００Ｋ温度下得到较强的波长１．５４μｍ光......
