Resurf相关论文
0.18μm BCD工艺主要用在小尺寸的直流/直流和交流/直流转换等领域,是目前应用于消费电子以及汽车电子等领域主流的BCD工艺之一,具......
目前,国内外对于半导体器件电离辐射效应的研究主要集中在低压MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）结构和绝......
近年来,急剧增加的市场需求与国家政府的大力支持使集成电路产业得到高速发展,与国外行业水平之间的差距正日趋缩短。横向双扩散金......
针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型A......
提出了一种具有多阶场板的300 V薄层SOI RESURF nLDMOS器件.借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击......
提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型.基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向......
在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点：可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量；导......
使用专门设计的LDMOS高压器件，实现了一个具有高压驱动能力（±150V）和大增益（〉80dB）的CMOS运算放大器。模拟结果显示，N沟道和P沟道L......
提出了一种新型4H—SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管结构。阳极凹槽使器件反偏时横向电场增强，加快漂移区耗尽。同时，利用D-RESURF......
提出了一种能带调制模型，通过在异质结界面处引入负离子电荷（如氟离子）调制异质结处的局部能带分布，实现了对异质结界面处的高密度2DEG......
LDMOS器件设计中,常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件,围绕当获得最优的器件结构时,......
提出了基于二维Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的薄膜ＳＯＩ降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ结构解析物理模型。并在该模型基础上，给出了一种分析薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的方法。利用这一方......
采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算薄膜SOI RESURF结构击穿电压．数值计算表明，这种方法可以降低方程的迭代次数约40％，并明显减少......
提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS（FB-LDMOS）结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低......
提出了体硅double RESURF器件的表面电场和电势的解析模型.基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析表达式.......
研究了采用双RESURF技术的槽栅横向双扩散MOSFET（DRTG-LDMOS），讨论了双RESURF技术对击穿电压的影响，以及DRTG-LDMOS的电容特性，与传统的......
借助二维器件仿真软件MEDICI对double RESURF（双重降低表面电场）SOI LDMOS进行了深入研究,分析了降场层的浓度、长度、深度等参数的......
对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMO......
研究了一种N型50 V RFLDMOS器件的结构.该类型器件对击穿电压BV和导通电阻RDSon等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的 R......
基于Semi-SJ（super junction）结构,提出了SJ的比例可以从0～1渐变的PSJ（partial super junction）高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的......
应用RESURF原理,设计了三端自由的高压LDMOS器件.采用虚拟制造技术,分析比较了多种结构,对器件结构进行了优化.设计了与常规CMOS兼......
通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程,建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURF SOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模......
利用RESURF与场板结构结合的技术，设计了一种可以兼容低压BiCMOS工艺的LD—MOS器件。该器件的漂移区长度l≤60pm，就可实现600V以上的......
基于分区求解二维泊松方程,提出了阶梯掺杂漂移区SOI高压器件的浓度分布优化模型.借助此模型,对阶梯数从0到无穷时SOI RESURF结构......
高压互连是功率集成电路中的重要技术,随着PIC在结构功能上的发展和应用范围上的增大,人们对功率集成电路中的高压互连技术的要求......
LDMOS器件广泛应用于高压集成电路芯片中,由于常作为功率开关来使用,其主要的性能指标为击穿电压(VB)与比导通电阻(RON,sp)。然而,......
横向高压器件是高压集成电路的关键器件,受到了众多学者深入的研究。随着半导体技术的快速发展,功率器件和常规低压器件等比例减小......
SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路因其隔离性能好、漏电流小、速度快、功耗低和抗辐照等优点已成为功率集成电路(Power Inte......
栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息，是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-So Son等人提出的SOI基绝缘槽......
讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响，并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中，远离沟道一侧的漂移区阱长......
分析了漏区边界曲率半径与射频RESURF LDMOS击穿电压的关系，指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用．理论分析与模拟结果......
高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路,高压集成电路的研究与发展,主要是高压器件、高压集成电路工......
随着半导体技术的发展和计算机技术的发展,通过电脑辅助设计来帮助完成半导体的生产,设计和研究,越来越成为一个重要的手段。本文......
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）智能功率集成技术通常分为三类：高压BCD、高功率BCD和高密度BCD工艺技术，其中高密度BCD工艺将信号处理和功率激......
SOI（Silicon On Insulator）高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit,HVIC）因其隔离性能好、漏电流小、速度快、功耗低和抗辐照......
提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MRD-RESURF)LDMOS,在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋......
近几年我国CMOS集成电路(IC)因国内巨大的市场需求和政府的有力扶持得到了高速的发展,大大地缩短了与国外同行的差距,然而标准的CM......
横向双扩散MOS管(Lateral Double-diffusion MOS，LDMOS)作为横向高压器件的典型代表，因性能优、成本低和易于集成等优势被广泛应用于......
横向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,LDMOS......
<正> 功率半导体器件包括功率二极管、功率开关器件与功率集成电路。功率半导体器件技术是电力电子技术的基础与核心。它是微电子......
本文首次采用解析方法及二维计算机模拟讨论了ＲＥＳＵＲＦ原理应用于ＳＯＩＬＤＭＯＳ晶体管．研究表明：击穿电压随埋层ＳｉＯ２厚度增加而增加；击穿电压随Ｓｉ层厚度变化呈现Ｕ型......
提出了一种具有降场电极 U形漂移区 SOI- L DMOS,借助 2 D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析 ,结果证明该结构在与 RESURF......
高压功率集成电路 ( HVPIC) ,是指将需要承受高电压 (达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC......
因具有易集成、频率响应快等优点,功率LDMOS器件被广泛地应用在功率集成电路中。低功耗是功率器件发展的方向,而LDMOS器件的耐压(B......
横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,简称LDM......
高压功率集成电路在电机驱动电路、工业控制电路、汽车电子领域、开关电源等方面获得广泛使用。高压功率器件、高-低压等兼容工艺......
SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路(High Voltage Integrated Circuit, HVIC)因其隔离性能好、漏电流小、速度快、功耗低和抗......
网络、通讯、电视系统和开关电源都进入了数字化的时代,音响设备也越来越小型化、智能化,人们对音频放大器提出了更高的要求:高效......
