电流-电压特性相关论文
随着电子技术和产业的发展，微电子器件的发展要求体积更小、速度更快、频率更高、功耗更低，以实现小型化和单片化。高介电常数材料正......
在薄膜太阳能电池中,分流路径的存在是不可避免的。通常来说,我们会在太阳能电池的等效电路模型中以并联电阻这一参数来表示分流特......
作者在SrTiO双晶衬底上制备了Hg-1212外延超导薄膜，并成功地制备出了双晶晶界约瑟夫森结。这些双晶结具有典型的RSJ电流－电压特性；在7......
We investigated the superconducting properties of Fe_(1+y)Te_(0:6)Se_(0:4) single-crystalline microbridges with a width ......
对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的......
对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究，重点集中在该类器件的核心，即场致发射尖锥阵列的制造及自封闭真空空腔形......
有机电致发光获得突破性进展以来,8-羟基喹啉铝(Alq)一直是人们关注的焦点.它具有良好的成膜特性、较高的发光效率和好的稳定性,促......
本文发展了一种研究a－Si：HTFT电流一电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，......
对新型半导体器件——双注入结型场效应管的电流－电压特性进行了详细分析，并得出解析表达式，为该器件的设计和应用提供了理论依据。
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研究了[001]织构和非织构金刚石膜的暗电流-电压特性、电流-温度特性以及在稳态X射线辐照下的响应。结果表明[001]织构的金刚石膜......
用碱性光电化学池观察到异常的 Pt/Tio_2 I-V 特性,可能是 Pt-TiO_2之间的相互作用对表面态的影响所致,和无金属的 TiO_2比较,Au/......
一种新型的微电子器件——微等离子体三极管近期被成功研制出来.它的问世奠定了未来更加节能、更加轻便的,具有更高分辨率和更高对......
在Si衬底上磁控溅射制备AlxZn1-xO（AZO）合金薄膜,在其上真空蒸发Ni/Au叉指电极获得金属-半导体-金属（MSM）结构光电探测器。采用UV-Vis-......
研究了ITO/NPB（40 nm）/BAlq（60 nm）/BCP（5 nm）/LiF（0.8 nm）/Al有机电致发光器件（OLED）的磁效应。实验结果表明,磁场在10 mT时,器件的效率最大......
对GaN基蓝光功率型LED在老化前和老化期间施加反向人体模式静电放电(ESD),并对静电打击前后及老化前后的LED光学电学参数进行分析......
通过对有机薄膜晶体管(OTFT)电流-电压特性的研究,建立了一种用于电路模拟的仿真程序(SPICE)的OTFT直流电流-电压模型,所用的参数......
研究了一种以水为溶剂的(Ba0.5Sr0.5)TiO3(B ST)源溶液,用Sol-Gel技术制备出BST薄膜,并研究了薄膜的结构和电性能.结果表明,厚度 ......
随着电子信息产业对器件性能要求的不断提高,受衬底材料的限制,硅基器件已逐渐难以满足要求。而且集成电路一直遵循摩尔定律不断发......
在紧束缚理论的基础上推导出轴向磁场下碳纳米管的能带公式,研究外加磁场下碳纳米管场效应晶体管的电学特性.说明磁场可使碳管的导......
采用磁控溅射系统在晶硅太阳能电池表面沉积了不同覆盖率的Cu纳米颗粒。以没有纳米颗粒覆盖的太阳能电池作为参考电池,研究了Cu纳......
本文通过化学浴沉积法获得了直径约为50 nm,长度约为250 nm的ZnO纳米棒阵列,引入纳米ZnS对ZnO纳米棒进行表面修饰,分别制备得到了......
通过对VDMOS结构器件测量的I—V特性和模拟结果的分析 ,发现在此结构中 ,寄生的双极管对器件性能具有不良影响 .可以来用一种新型......
用Sb~+离子注入制备了p型Pb_(1-x) Hg_x Te p-n结光伏探测器。在295K时,用布里奇曼法生长的Pb_(0.97)Hg_(0.03)Te晶体的比电阻为0.......
工作报告对《MOS管阈值电压的理论修正》一文的商榷…………………………………(—1)NPN超高压低频大功率晶体管制造工艺的探讨…......
x=0.2的Hg_(1-x)Cd_xTe光伏型探测器,由于它在77K能够对8～14μm大气“窗口”的辐射有高的探测率,一向受到人们极大关注。光伏型探......
用在含有2％铝的锌中降阻的ZnS晶体制成发光二极管,在反向偏压下可以得到较亮的蓝色电致发光。比较两类二极管(E和C)的电致发光和阴......
在DX-3A扫描电子显微镜上加上了低温样品架,在83K用电子束惑生电压技术(EBIV)检测了锑化铟光生伏特型红外探测器的若干性能.探测器......
评论了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的欧姆接触工艺技术。首先介绍在金属—半导体(肖脱基势垒)接触中电流输运的基本原理。电流输运方式是......
Bardeen早在35年之前就指出,对于金属-共价半导体界面,金属的费米能级限制于某一数值归因于大密度的界面态。通常认为,这些界面态......
本文介绍在引进的CMOS生产线上,利用等温两步氯化氢氧化技术,研究工业化大生产中薄栅介质膜的电流-电压特性及其击穿特性,结果表明......
实验研究了高密度(CH)_X膜的离子注入n型掺杂。在用相当低的能量(12KeV)的钠离子进行了注入的(CH)_x膜上观察到明显的掺杂效应。(C......
本文建立了MLS隧道器件的电流-电压特性的数值模拟程序,提出了一种新的计算方法:龙格-库塔数值积分与边界条件的预估-校正处理相结......
净化漂移是制备和修复Ge(Li)中的一种重要工艺手段,它可用来改善Ge(Li)的电流-电压特性和电容-电压特性,控制工作时Ge(Li)内部的......
考虑栅电压、漏电压和沟长调制效应影响下,在长沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的I-V输出特性基础上,引入有效迁移率和有效沟道长度,......
利用Landauer-Büttiker公式和非平衡格林函数方法,研究了在电荷和自旋偏压共同作用下的扶手椅型石墨烯纳米带的自旋相关的电子输......
我们用电子束刻蚀、热阻真空镀膜等方法制备了准一维介观铝超导线样品,对它们的电输运性质时行了系统的研究.发现对于某些样品,在......
为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量......
期刊
采用高温超导线圈对于减轻主变压器的重量及提高其效率有明显效果.介绍"多层绕"和"密绕"高温超导线圈概况,以及采用直流电及交流电......
InSb单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制.InSb器件Ⅰ-Ⅴ中测筛选既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片,还可对前......
利用热场发射理论和数值计算方法 ,分析了碲镉汞光伏器件的电流 -电压特性 ,提取了金属 -半导体 (MS)界面参数 ,并对这些参数进行......
